[发明专利]多层陶瓷电子组件

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括介电层及多个第一内电极和多个第二内电极，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极彼此面对且所述介电层介于第一内电极和第二内电极之间，并且所述陶瓷主体具有在堆叠方向上彼此面对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在长度方向上彼此面对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在宽度方向上彼此面对的第五表面和第六表面；以及

第一外电极和第二外电极，分别设置在所述陶瓷主体的所述第三表面和所述第四表面上，并且分别电连接到所述多个第一内电极和所述多个第二内电极，

其中，所述陶瓷主体包括：有效部，包括所述多个第一内电极和所述多个第二内电极；以及盖部，设置在所述有效部的在所述堆叠方向上的上表面和下表面上，

其中，缓冲区域设置在设置于所述有效部内部的所述多个第一内电极和所述多个第二内电极之中的至少一对第一内电极和第二内电极之间，

其中，所述缓冲区域的材料与所述介电层的材料不同，

其中，所述缓冲区域的一个表面接触一对第一内电极和第二内电极中的一个，且所述缓冲区域的与所述一个表面相对的另一表面接触介于所述一对第一内电极和第二内电极之间的介电层，

其中，所述缓冲区域的厚度满足0tb150μm+td的关系，其中，“td”表示所述介电层的厚度，并且“tb”表示所述缓冲区域的厚度，

其中，所述介电层的厚度td为1.2μm或更大且小于2.8μm，并且

其中，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极中的每个的厚度由“te”表示，并且td2×te。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述缓冲区域的厚度满足0tb100μm+td的关系。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述缓冲区域作为单个层设置在所述陶瓷主体的中央部分。

4.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，在所述有效部内部中设置有多个所述缓冲区域。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，te小于1μm。

6.如权利要求5所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述多个第一内电极和所述多个第二内电极中的每个的厚度te为0.2μm或更大。

7.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一外电极和第二外电极中的每个包括电连接到所述多个第一内电极或所述多个第二内电极的电极层以及设置在所述电极层上的导电树脂层，并且

所述电极层和所述导电树脂层各自在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上在长度方向上延伸。

8.如权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述电极层的延伸部分的长度小于所述导电树脂层的延伸部分的长度，从所述电极层的靠近所述第三表面或第四表面的角部边缘到所述电极层在相应的所述第一表面或所述第二表面上延伸的延伸部分的端部测量所述电极层的所述延伸部分的长度，从所述导电树脂层的靠近所述第三表面或第四表面的角部边缘到所述导电树脂层在相应的所述第一表面或所述第二表面上延伸的延伸部分的端部测量所述导电树脂层的延伸部分的长度。

9.如权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述电极层包括选自由铜、银、镍及它们的合金组成的组中的至少一种导电金属。

10.如权利要求7所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述导电树脂层包括基体树脂和选自由铜、银、镍及它们的合金组成的组中的至少一种导电金属。

11.如权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述有效部被划分为多对内电极，一对内电极包括一个第一内电极和一个第二内电极，并且所述缓冲区域设置在所述多对内电极中的第一对内电极和与所述第一对内电极相邻的第二对内电极之间。

12.如权利要求11所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述缓冲区域的所述一个表面与所述第二对内电极的一个第二内电极接触，并且所述缓冲区域的所述另一表面与所述第一对内电极的一个第一内电极间隔开。