[发明专利]集成扇出型封装及其制造方法有效
申请号: | 201910288415.6 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN110610905B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 王之妤;郭宏瑞;胡毓祥;廖思豪;朱永祺 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/522;H01L23/544;H01L21/48 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艳青;姚开丽 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 扇出型 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成扇出型封装,其特征在于,包括:
包封体;
管芯及多个导电结构,被所述包封体包封,其中所述多个导电结构环绕所述管芯;以及
重布线结构,设置在所述包封体上,其中所述重布线结构包括多个布线图案、多个导通孔及多个对准标记,所述多个导通孔对所述多个布线图案进行内连,所述多个对准标记中的至少一者实体接触所述包封体,所述多个对准标记是电浮动的,所述多个导电结构与所述多个对准标记位于不同水平高度处,所述多个对准标记中的至少一者包括晶种层、第一导电图案及多个第二导电图案,且所述第一导电图案夹置在所述多个第二导电图案与所述晶种层之间。
2.根据权利要求1所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述多个对准标记中的每一者包括栅格图案。
3.根据权利要求1所述的集成扇出型封装,其特征在于,还包括位于所述重布线结构上的多个导电端子,且所述多个导电端子与所述重布线结构电连接。
4.根据权利要求1所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述重布线结构还包括彼此堆叠的多个介电层,所述多个介电层中的至少一者包绕在对应的所述布线图案、对应的所述导通孔及对应的所述对准标记周围,且所述多个介电层中的所述至少一者的顶表面与对应的所述导通孔的顶表面及对应的所述对准标记的顶表面共面。
5.根据权利要求1所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述重布线结构还包括彼此堆叠的多个介电层,所述多个对准标记中的至少一者嵌置在所述多个介电层中的至少一者中,且所述多个介电层中的所述至少一者的顶表面与所述多个对准标记中的所述至少一者的顶表面之间的距离小于0.6μm。
6.根据权利要求1所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述集成扇出型封装具有有源区以及环绕有源区的边界区,所述管芯、所述多个导电结构、所述多个布线图案及所述多个导通孔位于所述有源区中,且所述多个对准标记位于所述边界区中。
7.一种集成扇出型封装,其特征在于,包括:
包封体;
管芯及多个导电结构,被所述包封体包封,其中所述多个导电结构环绕所述管芯;以及
重布线结构,设置在所述包封体上,其中所述重布线结构包括:
第一介电层;
第二介电层,堆叠在所述第一介电层上;
第一对准标记,嵌置在所述第一介电层中,其中所述第一对准标记包括第一晶种层及多个第一导电图案,所述多个第一导电图案堆叠在所述第一晶种层上;以及
第二对准标记,嵌置在所述第二介电层中,其中所述第二对准标记包括第二晶种层、第二导电图案及多个第三导电图案,且所述第二导电图案夹置在所述第二晶种层与所述多个第三导电图案之间。
8.根据权利要求7所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述第一对准标记的所述第一晶种层实体接触所述包封体。
9.根据权利要求7所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述第一晶种层包括多个第一晶种层图案,且所述多个第一晶种层图案中的每一者的侧壁对齐所述多个第一导电图案中的每一者的侧壁。
10.根据权利要求7所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述第一对准标记及所述第二对准标记是电浮动的。
11.根据权利要求7所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述重布线结构还包括多个第一导通孔、多个第二导通孔及多个第一布线图案,所述多个第一导通孔嵌置在所述第一介电层中,所述多个第一布线图案及所述多个第二导通孔嵌置在所述第二介电层中,所述多个第一布线图案夹置在所述多个第一导通孔与所述多个第二导通孔之间,且所述多个第二导通孔不含有晶种层。
12.根据权利要求11所述的集成扇出型封装,其特征在于,所述多个第一导通孔及所述多个第一布线图案分别包括晶种层。
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