[发明专利]一种器件寿命测试平台与系统

说明书

本发明实施例提出一种器件寿命测试平台与系统，涉及器件检测技术领域。该器件寿命测试平台包括测试工作区、测试数据处理区以及测试数据采集区，测试工作区用于放置待检测器件，测试数据处理区与的测试工作区电连接，以向待检测器件输出正向或反向控制信号，测试数据采集区与测试工作区电连接，且用于获取待检测器件的正向或者反向电压，并将获取的正向或者反向电压传输至测试数据处理区，测试数据处理区用于当正向或者反向电压达到与预设定的电压值时，控制待检测器件间断的导通，直至待检测器件老化，以测试出待检测器件的寿命。

技术领域

本发明涉及器件检测技术领域，具体而言，涉及一种器件寿命测试平台与系统。

背景技术

功率循环测试是AEC Q101，LV324等车规级功率模块可靠性测试标准中的必备测试，然而，目前市场上的功率循环测试台都是用于测试硅基(Si)功率器件，如IGBT，MOSFET等。但是，由于材料的特性，目前的测试台并不适用于其它材料的器件，例如，由于碳化硅(SiC)MOSFET器件在材料特性与器件设计方面与流行的IGBT器件略有不同，造成市场上现有的功率循环测试台无法完成其它材料器件的测试工作。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种器件寿命测试平台，以解决现有技术中测试台仅能实现对硅基功率器件的测试。

本发明的另一目的在于提供一种器件寿命测试系统，以解决现有技术中测试台仅能实现对硅基功率器件的测试。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

一方面，本发明实施例提出一种器件寿命测试平台，所述器件寿命测试平台包括测试工作区、测试数据处理区以及测试数据采集区，所述测试工作区用于放置待检测器件，所述测试数据处理区与所述的测试工作区电连接，以向所述待检测器件输出正向或反向控制信号，所述测试数据采集区与所述测试工作区电连接；所述测试数据采集区用于获取所述待检测器件的正向或者反向电压，并将获取的所述正向或者反向电压传输至所述测试数据处理区，所述测试数据处理区用于当所述正向或者反向电压达到与预设定的电压值时，控制所述待检测器件间断的导通，直至所述待检测器件老化，以测试出所述待检测器件的寿命。

进一步地，所述器件寿命测试平台还包括温度控制区，所述温度控制区与所述测试工作区连接，所述温度控制区用于维持所述待检测器件的温度。

进一步地，所述测试工作区设置有冷却板，所述待检测器件与所述冷却板连接，且所述冷却板与一冷却水管连接，所述温度控制区与所述冷却水管导通，所述温度控制区用于通过所述冷却水管控制所述冷却板的温度，以维持所述待检测器件的温度。

进一步地，所述测试工作区还包括温度检测装置，所述温度检测装置与所述温度控制区电连接，所述温度检测装置用于测量所述待检测器件的环境温度，所述温度控制区用于依据所述环境温度控制所述冷却板的温度，以维持所述待检测器件的环境温度不变。

进一步地，所述器件寿命测试平台还包括负载输出区，所述负载输出区分别与所述测试工作区、所述测试数据处理区电连接。

进一步地，所述负载输出区包括辅助开关，所述辅助开关与所述测试数据处理区电连接，所述测试数据处理区用于控制所述的辅助开关的关断，以实现控制所述待检测器件间断的导通。

进一步地，所述器件寿命测试平台还包括的配电箱，所述负载输出区还包括直流电流源，所述直流电流源与所述配电箱电连接，所述辅助开关处于闭合状态时，所述负载输出区为所述待检测器件提供电流。

进一步地，所述器件寿命测试平台还包括观察区，所述观察区与所述的测试数据处理区电连接，所述测试数据处理区还用于将数据传输至所述观察区进行显示。