[发明专利]一种可调叠层陶瓷电容器

说明书

本发明公开了一种可调叠层陶瓷电容器，包括陶瓷基体和滑块；陶瓷基体内部包括一个上电极和两个以上的下电极；陶瓷基体的一侧开有滑槽，下电极的引出端位于滑槽内壁，上电极的引出端位于陶瓷基体未开槽的一侧，上电极和下电极引出端的外部的陶瓷基体上分别具有金属封端镀层；所述滑槽内有与滑槽配合滑动的滑块，滑块上设置有与下电极引出端接触的第一金属触点和金属封端镀层接触的第二金属触点，上电极作为可调电容固定的极板，通过滑块的移动，选择不同的下电极作为可调电容的另一极板，从而实现陶瓷基体内电容的可调。本发明用一种简单结构实现了单片叠层陶瓷电容的多容值调节，为电子系统的小型化和高密度集成提供了更大的设计空间。

技术领域

本发明涉及电子元器件领域，尤其涉及一种适用于厚膜工艺技术的可调叠层陶瓷电容器。

背景技术

早在本世纪初，全球分立元件的年产量就已达到7000-9000亿件，为了适应表面贴装等传统集成技术，分立元件的片式化率在许多发达国家超过80％。片式陶瓷电容作为一类重要的分立无源元件，目前主要采用厚膜技术量产，其常见结构是由内电极和介质层交替重叠而成，不同类别的内电极分别从两侧引出封端。如图1所示，为常见叠层陶瓷电容器的剖面结构，其中，1为从左侧引出的内电极，2为从右侧引出的内电极，内电极的数量可以根据电容量的需求增加或减少；3为陶瓷介质层；分别为两侧引出内电极的封端镀层4。这种传统电容结构主要存在下述问题：

1.一种结构仅得到一个固定电容值，要得到不同电容值则需要改变结构参数，并根据新参数重新调整制作工艺；

2.随着电路和系统复杂度的提高，用量会大幅增加，难以适应电子系统向小尺寸高集成度发展的需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供一种可调叠层陶瓷电容器。

本发明采用的技术方案如下：

一种可调叠层陶瓷电容器，包括陶瓷基体和滑块；

陶瓷基体内部包括一个上电极和两个以上的下电极；

陶瓷基体的一侧开有滑槽，下电极的引出端位于滑槽内壁，上电极的引出端位于陶瓷基体未开槽的一侧，上电极和下电极引出端的外部的陶瓷基体上分别具有金属封端镀层；

所述滑槽内有与滑槽配合滑动的滑块，滑块上设置有与下电极引出端接触的第一金属触点，滑块上还设置有与金属封端镀层接触的第二金属触点，所述第一金属触点与第二金属触点连接，从而实现通过滑块将下电极与下电极引出端外部的金属封端镀层连通；所述上电极的引出端与上电极引出端外部的金属封端镀层接触；

上电极作为可调电容固定的极板，通过滑块的移动，选择不同的下电极作为可调电容的另一极板，从而实现陶瓷基体内电容的可调。

进一步地，所述第一金属触点与第二金属触点通过金属导线相连。

进一步地，所述第一金属触点为条状金属触点，所述第二金属触点为方形金属触点。

进一步地，所述滑块上设置有金属弹片，金属弹片辅助滑块固定在滑槽中。

进一步地，所述滑块为T型滑块，所述第一金属触点设置在T型滑块与下电极引出端接触的面上，在T型滑块的窄端与滑槽窄端的相接触的两个面的中部各有一个第二金属触点，第二金属触点与滑槽窄端内壁的金属封端镀层导通；在T型滑块的宽端与窄端相接的拐角两个面上各有一个金属弹片。

进一步地，陶瓷基体与第一金属触点接触的面和与金属弹片接触的面均不具有金属封端镀层，陶瓷基体与第二金属触点接触的面具有金属封端镀层。

由于采用了上述的技术方案，本发明的有益效果是：

(1)用一种简单结构实现了单片叠层陶瓷电容的多容值调节，还可以通过增加或减少下电极数目改变调节范围；