[发明专利]形成低K层的方法和形成半导体装置的方法

权利要求书

1.一种形成低k层的方法，所述方法包括：

通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层，

其中，形成层的步骤包括多个主循环，其中，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次，并且

其中，每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在每个子循环中，在提供碳源的步骤之后执行提供氧源的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在子循环中，不在提供碳源与提供氧源之间提供另一源。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在每个子循环中，执行提供碳源的步骤的时间为3秒至100秒。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在每个子循环中，执行提供氧源的步骤的时间为3秒至15秒。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在每个子循环中，提供氧源的步骤的执行时间比提供碳源的步骤的执行时间短。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，子循环的次数在5至30的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在每个主循环中，在子循环之前执行提供硅源的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，执行提供硅源的步骤的时间为3秒至50秒。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在每个主循环中，在子循环之后执行提供氮源的步骤。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，执行提供氮源的步骤的时间为3秒至50秒。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，每个主循环还包括在提供氮源之后提供第二碳源。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，低k层是SiOCN层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，SiOCN层的碳组分和氧组分具有由等式1表示的关系，

[等式1]

碳组分(at％)≥21.6–0.4×(氧组分(at％))。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，SiOCN层的碳组分和氧组分的总和在35at％至50at％的范围内。

16.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源之间执行吹扫操作。

17.一种形成低k层的方法，所述方法包括：

通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层，

其中，形成层的步骤包括多个主循环，其中，每个主循环包括顺序执行的提供硅源、执行多个子循环以及提供氮源，并且

其中，每个子循环包括提供碳源和提供氧源。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，在子循环中，不在提供碳源与提供氧源之间提供另一源。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，在每个子循环中，提供氧源的执行时间比提供碳源的执行时间短。