[发明专利]形成低K层的方法和形成半导体装置的方法

说明书

提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

本申请要求于2018年4月26日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0048568号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思的实施例涉及一种形成层的方法，更具体地，涉及一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置由于其小尺寸、多功能的特性和低制造成本而被广泛用于电子工业中。半导体装置可以被分为存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑装置和执行各种功能的混合半导体装置中的任何一种。

随着电子工业的发展，已经越来越需要高度集成的半导体装置。然而，高集成密度会导致各种限制(例如，限定精细图案的曝光工艺的裕度减小)，因此，半导体装置的制造会由于这些限制而变得更困难。另外，随着电子工业的发展，已经越来越需要高速半导体装置。因此，正在对能够实现高度集成和/或高速半导体装置的新技术进行各种研究。

发明内容

发明构思的实施例可以提供一种形成低k层的方法，该方法能够增大碳组分和氧组分两者。

发明构思的实施例还可以提供一种形成半导体装置的方法，该方法能够改善抗蚀刻性并且能够改善半导体装置的电特性。

在一个方面中，形成低k层的方法可以包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层，其中，形成层的步骤包括多个主循环，其中，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次，并且其中，每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

在另一方面中，形成低k层的方法可以包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层，其中，形成层的步骤包括多个主循环，其中，每个主循环包括顺序执行的提供硅源、执行多个子循环以及提供氮源，并且其中，每个子循环包括提供碳源和提供氧源。

在另一方面中，形成半导体装置的方法包括：在基底上形成栅极图案，形成覆盖栅极图案的栅极间隔件层以及通过蚀刻栅极间隔件层形成栅极间隔件，其中，形成栅极间隔件层的步骤包括多个主循环，其中，每个主循环可以包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次，并且其中，每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。

附图说明

鉴于附图和随附的详细描述，发明构思将变得更加明显。

图1是示出根据发明构思的一些实施例的形成层的方法的流程图。

图2是示出根据发明构思的一些实施例的用于形成层的沉积设备的概念图。

图3是示出根据发明构思的一些实施例的提供工艺气体的顺序的概念图。

图4是示出根据发明构思的一些实施例的提供工艺气体的循环的时序图。

图5是示出图4的循环中的一个循环的执行时间的时序图。

图6是示出根据发明构思的一些实施例的提供工艺气体的顺序的概念图。

图7是示出根据发明构思的一些实施例的提供工艺气体的循环的时序图。

图8是示出图6的循环中的一个循环的执行时间的时序图。

图9是示出根据发明构思的一些实施例的半导体装置的平面图。