[发明专利]用于执行光学邻近校正的方法和使用其制造掩模的方法

说明书

公开了一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法和使用其制造掩模的方法。提供一种用于执行OPC的方法以及通过使用OPC制造掩模的方法，所述执行OPC的方法通过有效地反映掩模形貌效应或图案的边缘之间的耦合效应来提高掩模图像的精确度。用于执行OPC的方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘；提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对；针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘；通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像；通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像。

本申请要求于2018年9月6日在韩国知识产权局提交的序列号为10-2018-0106508的韩国专利申请的权益，该申请的全部公开通过引用被合并在本申请中。

技术领域

本发明构思涉及一种制造掩模的方法，更具体地，涉及一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法和一种通过使用OPC制造掩模的方法。

背景技术

在半导体工艺中，可执行使用掩模的光刻工艺以在半导体基底(诸如，晶片)上形成图案。掩模可被简单地定义为不透明材料的图案形状被形成在透明基础材料上的图案转印体。简要描述了掩模的制造过程。首先，可设计需求的电路并且可设计用于需求的电路的布局。然后，通过OPC获得的掩模设计数据可作为掩模流片(MTO)设计数据被传递。在下文中，可基于MTO设计数据执行掩模数据准备(MDP)，并且可执行前段制程(FEOL)(诸如，曝光过程)和后段制程(BEOL)(诸如，缺陷检查)以制造掩模。

发明内容

本发明构思提供一种用于执行能够通过有效地反映掩模形貌效果或图案的边缘之间的耦合效应来提高掩模图像精确度的光学邻近校正(OPC)的方法，以及通过使用OPC制造掩模的方法。

根据本发明构思的一方面，提供一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法，所述方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘；提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对；针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘；通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像；通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像。

根据本发明构思的另一方面，提供一种用于执行光学邻近校正(OPC)的方法，所述方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘；根据特定标准在边缘中提取边缘对；通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像；并且通过将耦合滤波器应用于边缘对来校正第一掩模图像；通过将经由薄掩模近似获得的第二掩模图像与校正的第一掩模图像相加来产生最终掩模图像。

根据本发明构思的另一方面，提供一种制造掩模的方法，所述方法包括：提取掩模上的图案的布局的边缘；提取边缘中相邻边缘之间的宽度等于或小于特定距离的边缘对；针对边缘对中的每一个边缘对产生耦合边缘；通过将边缘滤波器应用于边缘来产生第一掩模图像；通过将耦合滤波器应用于耦合边缘来校正第一掩模图像，并产生最终掩模图像；通过将最终掩模图像的数据反映到光学邻近校正(OPC)模型来执行模拟；将通过模拟获得的设计数据作为掩模流片(MTO)设计数据进行传递；基于MTO设计数据来准备掩模数据；基于掩模数据在掩模基底上执行曝光。

附图说明

从下面结合附图进行的详细描述将更清楚地理解本发明构思的实施例，其中：

图1是根据实施例的用于执行光学邻近校正(OPC)的方法的过程的流程图；

图2A至图2C是用于解释图1的用于执行OPC的方法中提取布局的边缘的操作和产生第一掩模图像的操作的构思示图；

图3A至图3E是用于参照图1中产生第一掩模图像的操作解释边缘滤波器和通过使用边缘滤波器产生第一掩模图像的原理的构思示图；

图4是示出根据图案的宽度通过使用边缘滤波器产生的第一掩模图像的误差级别以解释图案的边缘之间的耦合效应的曲线图；