[发明专利]NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存

权利要求书

1.一种NAND闪存的垃圾回收方法，其特征在于，

所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；

所述NAND闪存包括：

多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，

控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；

所述垃圾回收方法包括：

对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据；

所述SRAM将读取到的有效数据存储在闲置数据块中，其中，若上一个回收周期内的闲置数据块没有被有效数据填满，则所述SRAM将读取到的有效数据存储在上一个回收周期内未填满的闲置数据块中；

所述对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：

所述控制器判断当前待回收数据块的每个待读取子数据块中的数据是否为有效数据；

若当前待读取子数据块中的数据为有效数据，则所述待读取子数据块对应的SRAM所述有效数据；

若当前待读取子数据块中的数据为无效数据，则所述待读取子数据块对应的读取通道的SRAM闲置。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待读取子数据块对应的读取通道的SRAM闲置，包括：

所述待读取子数据块对应的读取通道的SRAM在当前回收周期内闲置。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当前待回收数据块中的所有有效数据被读取后，所述SRAM读取下一个待回收数据块中的数据。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述SRAM读取下一个待回收数据块中的数据，包括：

在下一个回收周期内，所述SRAM读取下一个待回收数据块中对应通道的待读取子数据块的有效数据。

5.一种NAND闪存，其特征在于，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个读取通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的读取通道；

所述NAND闪存包括：

多个SRAM，每个SRAM与一个所述读取通道相对应，用于读取对应读取通道的待读取子数据的数据，

控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；

所述NAND闪存，对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据；

所述SRAM将读取到的有效数据存储在闲置数据块中，其中，若上一个回收周期内的闲置数据块没有被有效数据填满，则所述SRAM将读取到的有效数据存储在上一个回收周期内未填满的闲置数据块中；

所述对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：

所述控制器判断当前待回收数据块的每个待读取子数据块中的数据是否为有效数据；

若当前待读取子数据块中的数据为有效数据，则所述待读取子数据块对应的SRAM所述有效数据；

若当前待读取子数据块中的数据为无效数据，则所述待读取子数据块对应的所述读取通道的SRAM闲置。

6.如权利要求5所述的NAND闪存，其特征在于，所述NAND闪存，对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：

所述控制器判断当前待回收数据块的每个待读取子数据块中的数据是否为有效数据；

若当前待读取子数据块中的数据为有效数据，则所述待读取子数据块对应的读取通道的SRAM读取所述有效数据。

7.如权利要求6所述的NAND闪存，其特征在于，若当前待读取子数据块中的数据为无效数据，则所述待读取子数据块对应的所述读取通道的SRAM闲置。