[发明专利]NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存

说明书

本申请涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法和一种NAND闪存，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。本发明可以提高NAND闪存垃圾回收的效率。

技术领域

本申请涉及存储器领域，尤其涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存。

背景技术

NAND闪存和传统闪存相比，是一种功耗更低、容量更大、重量更轻和性能更佳的产品。

NAND因其结构，具有最小写入量。NAND最小写入量为16KB，即如果写入的数据小于16KB，会以无效数据(dummy data)的形式补足16KB，一个16KB的数据为一个数据块。

因为最小写入量的影响，NAND闪存可能会有较多的dummy data存在，影响存储总量，因此需要回收dummy data占据的存储空间，此过程可以称为垃圾回收(garbagecollection，简称GC)。

现有的NAND闪存的垃圾回收方法效率低，无法满足NAND闪存的高速读/写需求。

发明内容

为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存。

第一方面，本申请提供了一种NAND闪存的垃圾回收方法，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；

所述NAND闪存包括：

多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，

控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；

所述垃圾回收方法包括：

对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。

可选的，对于当前待回收数据块，所述SRAM读取对应通道的待读取子数据块的有效数据，包括：

所述控制器判断当前待回收数据块的每个待读取子数据块中的数据是否为有效数据；

若当前待读取子数据块中的数据为有效数据，则所述待读取子数据块对应的SRAM所述有效数据。

可选的，若当前待读取子数据块中的数据为无效数据，则所述待读取子数据块对应的所述读取通道的SRAM闲置。

可选的，所述待读取子数据块对应的读取通道的SRAM闲置，包括：

所述待读取子数据块对应的读取通道的SRAM在当前回收周期内闲置。

可选的，所述SRAM将读取到的有效数据存储在闲置数据块中。

可选的，当前待回收数据块中的所有有效数据被读取后，所述SRAM读取下一个待回收数据块中的数据。

可选的，所述SRAM读取下一个待回收数据块中的数据，包括：

在下一个回收周期内，所述SRAM读取下一个待回收数据块中对应通道的待读取子数据块的有效数据。