[发明专利]具有微槽-褶皱的微通道换热器芯体的制造方法和换热器有效
申请号: | 201910296902.7 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110323140B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 周伟;袁丁;褚旭阳;曾湘衡 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/367 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;张迪 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 褶皱 通道 换热器 制造 方法 | ||
本发明提供了一种具有微槽‑褶皱的微通道换热器芯体的制造方法,通过多刀铣削‑冲压工艺,可实现具有微槽‑褶皱特征的微通道换热器芯体的一体成形。本发明还提供了一种换热器,将具有微槽‑褶皱的微通道换热器芯体与基板和盖板封装即可。微通道换热器芯体表面的微槽起到协同强化换热和减阻作用,微槽与褶皱增大了微通道表面的换热面积,具有强化换热效果。本发明具有制造成本低、工艺简单、连续性强、成形效率高等优点,应用本技术方案可实现增强高深宽比型微通道强化换热性能的目标。
技术领域
本发明涉及微通道强化换热领域,特别涉及一种微通道次级结构设计及制造领域。
背景技术
随着半导体技术、微电子技术以及航空航天科技的不断发展进步,电子器件的集成化程度越来越高,其对冷却系统的尺寸、质量、体积和能耗要求也日益增长。传统强制风冷散热难以满足日益增长的高热流密度电子器件的散热需求,散热不佳容易导致电子器件的可靠性下降。高热流密度电子设备中的散热问题制约了上述行业的发展,热管理成为了高热流密度电子芯片系统开发和应用的关键技术。
微通道换热器是一种借助特殊微加工技术成形的三维结构单元,与传统换热器相比,具有高传热性能、结构紧凑、质量轻、体积小巧、易于一体化封装等特点。微通道换热器可以直接作用于毫米甚至微米级的热源位置进行强化传热,是满足高热流密度电子设备散热需求的理想选择。在微通道换热器中,热量交换主要是在微通道中进行。目前,不同几何形状(矩形、波纹形、三角形微通道等)的微通道多采用微铣削一次成形的方式,微通道内部的二级微结构(微柱、纳米线等)一般采用激光、刻蚀等加工技术成形,但上述加工方法存在加工速率低、制造工艺复杂、加工成本高等问题。
发明内容
本发明所要解决主要技术问题是提供一种新型具有微槽-褶皱特征的微通道换热器芯体及其制造方法,具有显著的强化换热效果。
为了解决上述的技术问题,本发明提供了一种具有微槽-褶皱的微通道换热器芯体的制造方法,采用多刀铣削-冲压成形方法获得:首先通过多齿锯片刀具加工出带有阵列引流微斜槽结构的微通道板,再通过冲压成形获得褶皱状的微通道换热器芯体。
在一较佳实施例中:所述微斜槽结构包括但不限于矩形、V形、U形、半圆形槽。
在一较佳实施例中:所述微通道换热器芯体整体包括但不限于波纹状、凹槽状。
在一较佳实施例中:冲压成形的角度在30°-90°之间。
在一较佳实施例中:冲压深度与冲压宽度的比值在0-10之间。
在一较佳实施例中:所述斜微槽的高度与冲压深度的比值在0.01~0.5之间,斜微槽的高度与冲压宽度在0.01~0.2之间。
在一较佳实施例中:所述微通道换热器芯体的来流攻角在0°-90°之间。
本发明还提供了一种换热器,包括盖板、基板和如上所述微通道换热器芯体;所述微通道换热器芯体位于盖板和基板之间。
在一较佳实施例中:微通道盖板和基板与所述微斜槽所成夹角在30°到170°之间。
相较于现有技术,本发明具备以下有益效果:
本发明提供了具有微槽-褶皱的微通道换热器芯体的制造方法,该芯体可起到协同强化换热和减阻作用,同时芯体的褶皱形状和表面微结构增大了微通道的换热面积,具有显著的强化换热效果。流体流经具有微槽-褶皱特征的芯体时,在微斜槽引流作用下,可沿着壁面温度梯度方向流动,使得流体流过芯体时具有横向、径向和纵向的流动速度分量,可达到横向、径向、纵向三维空间内速度场和温度场协同强化换热的效果。流体在微斜槽内部形成漩涡,使得流体与壁面的摩擦方式由滑动摩擦转变为滚动摩擦,微斜槽起到类似于“滚动轴承”的润滑作用。综上所述该微通道换热器芯体不仅能够协同增强换热,而且具有阻力小的优点。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学,未经厦门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910296902.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造