[发明专利]LDMOS和其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在半导体基片上形成衬底区；所述衬底区包括第一区域；在所述第一区域内制作第一STI、第二STI、漂移区和中压p阱；

S2、在所述第一区域的上方形成氧化层；在所述氧化层的上方形成第一多晶硅层；

S3、在所述第一多晶硅层的上表面设置第一光胶层，所述第一光胶层包括第一透射区和第一阻挡区；所述第一阻挡区用于阻挡杂质离子穿过；

S4、通过所述第一透射区向所述漂移区高能量注入第一杂质离子，以形成第一n型掺杂区。

2.如权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述第一透射区与所述第一STI的局部、所述第一STI与所述第二STI之间的区域以及所述第二STI的局部相对应；

所述第一n型掺杂区的深度大于所述第一STI和所述第二STI的深度。

3.如权利要求1所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述衬底区还包括第二区域，所述步骤S1还包括：

在所述第一区域内制作第一STI和第二STI的同时，在所述第二区域内制作第三STI。

4.如权利要求3所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：

同时向所述第一区域和所述第二区域中注入相同的杂质离子，以在所述第一区域中形成所述漂移区，并在所述第二区域内形成第一掺杂区。

5.如权利要求4所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：

在所述氧化层的上方形成第一多晶硅层的同时，在所述第二区域的上方形成第二多晶硅层。

6.如权利要求5所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：

在所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的上表面布满光胶；

通过第一光罩对所述光胶进行曝光，以形成所述第一透射区，并在所述第二多晶硅层的上方形成第二透射区。

7.如权利要求6所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，在所述步骤S3之后，所述制作方法还包括：

通过所述第一透射区向所述第一多晶硅层中采用高阻注入方式注入第二杂质离子，并同时通过所述第二透射区向所述第二多晶硅层中采用高阻注入方式注入第二杂质离子。

8.如权利要求7所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述第二杂质离子为硼离子。

9.如权利要求7所述的LDMOS的制作方法，其特征在于，所述步骤S4还包括：

在通过所述第一透射区向所述漂移区高能量注入第一杂质离子的同时，通过所述第二透射区向所述第一掺杂区高能量注入第一杂质离子，以形成第二n型掺杂区，所述第二n型掺杂区的深度大于所述第三STI的深度。

10.一种LDMOS，其特征在于，所述LDMOS采用如权利要求1～9中任意一项所述的LDMOS的制作方法制作。