[发明专利]LDMOS和其制作方法

说明书

本发明公开了一种LDMOS和其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：在半导体基片上形成衬底区；衬底区包括第一区域；在第一区域内制作第一STI、第二STI、漂移区和中压p阱；在第一区域的上方形成氧化层；在氧化层的上方形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的上表面设置第一光胶层，第一光胶层包括第一透射区和第一阻挡区；第一阻挡区用于阻挡杂质离子穿过；通过第一透射区向漂移区高能量注入第一杂质离子，以形成第一n型掺杂区。本发明通过在LDMOS的漂移区中高能注入杂质离子减小了漂移区的导通电阻，并能够维持击穿电压。

技术领域

本发明属于LDMOS(横向扩散闸极管)制作技术领域，尤其涉及一种LDMOS和其制作方法。

背景技术

现有技术的LDMOS如图1所示，包括漂移区(n型)101、中压p阱102、第一STI(浅沟槽隔离)103、第二STI(浅沟槽隔离)104、第一n型重掺杂区105、第二n型重掺杂区107、第三n型重掺杂区109、第一p型重掺杂区106、第二n型重掺杂区108、闸极110、氧化层111、金属电极112。在该LDMOS中，漂移区的掺杂浓度与深度受限与CMOS(互补金属氧化物半导体)阱击穿的要求，不可以根据器件的要求灵活变化，并且，漂移区的导通电阻较大，影响该LDMOS的性能。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术中的LDMOS的漂移区的导通电阻较大的缺陷，提供一种低导通电阻的LDMOS和其制作方法。

本发明通过以下技术方案解决上述技术问题：

本发明提供一种LDMOS的制作方法，包括以下步骤：

S1、在半导体基片上形成衬底区；衬底区包括第一区域；在第一区域内制作第一STI、第二STI、漂移区和中压p阱；

S2、在第一区域的上方形成氧化层；在氧化层的上方形成第一多晶硅层；

S3、在第一多晶硅层的上表面设置第一光胶层，第一光胶层包括第一透射区和第一阻挡区；第一阻挡区用于阻挡杂质离子穿过；

S4、通过第一透射区向漂移区高能量注入第一杂质离子，以形成第一n型掺杂区。

较佳地，第一透射区与第一STI的局部、第一STI与第二STI之间的区域以及第二STI的局部相对应；

第一n型掺杂区的深度大于第一STI和第二STI的深度。

较佳地，衬底区还包括第二区域，步骤S1还包括：

在第一区域内制作第一STI和第二STI的同时，在第二区域内制作第三STI。

较佳地，步骤S1还包括：

同时向第一区域和第二区域中注入相同的杂质离子，以在第一区域中形成漂移区，并在第二区域内形成第一掺杂区。

较佳地，步骤S2还包括：

在氧化层的上方形成第一多晶硅层的同时，在第二区域的上方形成第二多晶硅层。

较佳地，步骤S3还包括：

在第一多晶硅层和第二多晶硅层的上表面布满光胶；

通过第一光罩对光胶进行曝光，以形成第一透射区，并在第二多晶硅层的上方形成第二透射区。

较佳地，在步骤S3之后，制作方法还包括：

通过第一透射区向第一多晶硅层中采用高阻注入方式注入第二杂质离子，并同时通过第二透射区向第二多晶硅层中采用高阻注入方式注入第二杂质离子。

较佳地，第二杂质离子为硼离子。

较佳地，步骤S4还包括：