[发明专利]一种半导体相二硫化钼纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201910301948.3 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN109879321B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈润锋;王宏磊;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二硫化钼 纳米 制备 方法 | ||
1.一种半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）取二硫化钼粉末加热处理，向加热处理后的二硫化钼粉末中加入液氮，待液氮气化后再重复加热和加液氮步骤若干次；
（2）将步骤（1）的产物与分散溶剂混合，获得第一混合溶液；
（3）将步骤（2）的第一混合溶液进行水浴超声处理，获得第二混合溶液；
（4）对步骤（3）得到的第二混合溶液进行离心处理，离心完成后取上层清液再次进行离心处理，离心完成后取上层清液，即可；
所述步骤（1）的加热温度为25℃-300℃；
所述步骤（2）分散溶剂为异丙醇；
所述步骤（3）水浴超声时间为0.5 h。
2.根据权利要求1所述的半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）二硫化钼粉末为块状。
3.根据权利要求1所述的半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）二硫化钼粉末为天然六方晶型。
4.根据权利要求1所述的半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）重复1-20次。
5.根据权利要求1所述的半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）离心的转速为1500 rpm-5000 rpm。
6.根据权利要求1所述的半导体相二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）对步骤（3）得到的第二混合溶液进行离心处理，离心完成后取上层清液的四分之三再次进行同等转速与时间的离心处理，离心完成后取上层清液的三分之二。
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