[发明专利]细胞膜片的培养装置和制备方法

权利要求书

1.一种细胞膜片的培养装置，包括：

半导体制冷器件，包括：

第一绝缘基板，

第二绝缘基板，和

至少一个半导体热电偶，设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间；和

一个或多个培养容器，被配置为培养细胞膜片，设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述半导体制冷器件还包括：

导热部件，设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧，所述导热部件上设置有所述一个或多个培养容器。

3.根据权利要求2所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述导热部件具有一个或多个凹槽，一个凹槽中设置有一个培养容器。

4.根据权利要求2所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述第一绝缘基板在第二绝缘基板上的投影在所述导热部件在所述第二绝缘基板上的投影之内。

5.根据权利要求1所述的细胞膜片的培养装置，其中，至少一个所述培养容器的底部远离所述第一绝缘基板的一面上设置有温敏高分子层，所述温敏高分子层的表面能随着温度的变化而单调变化。

6.根据权利要求5所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述温敏高分子层的表面能随着温度的升高而升高。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述至少一个半导体热电偶包括N个半导体热电偶，N为大于或等于2的整数，其中：

每个半导体热电偶包括导电类型不同的第一半导体部和第二半导体部，所述第一半导体部和第二半导体部中的每一个均包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面比所述第二面更靠近所述第一绝缘基板，所述第一半导体部的第一面和所述第二半导体的第一面通过第一金属件连接，并且

第i个半导体热电偶的第一半导体部的第二面和第i+1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面通过第二金属件连接，其中，1≤i≤N-1。

8.根据权利要求7所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述半导体制冷器件还包括第一开关、第一电源和第二电源，其中：

所述第一电源的第一极通过第三金属件与第1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面连接，所述第一电源的第二极被配置为通过所述第一开关和第四金属件与第N个半导体热电偶的第一半导体部的第二面连接；

所述第二电源的第二极通过所述第三金属件与第1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面连接，所述第二电源的第一极被配置为通过所述第一开关和所述第四金属件与第N个半导体热电偶的第一半导体部第二面连接；

所述第一开关被配置为响应于用户操作，与所述第一电源的第二极和所述第二电源的第一极中的一个连接；

其中，所述第一极和所述第二极中的一个为正极、另一个为负极。

9.根据权利要求8所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述半导体制冷器件还包括：

温度监测部件，被配置为监测所述第一绝缘基板的温度；

控制器，被配置为根据所述第一绝缘基板的温度控制所述第一开关的状态。

10.根据权利要求9所述的细胞膜片的培养装置，其中，所述控制器被配置为：

在所述第一绝缘基板的温度在预设温度范围内的情况下，控制所述第一开关闭合；

在所述第一绝缘基板的温度不在所述预设温度范围内的情况下，控制所述第一开关断开，或者，控制所述第一开关由与所述第一电源的第二极和所述第二电源的第一极中的一个连接切换到与所述第一电源的第二极和所述第二电源的第一极中的另一个连接。