[发明专利]细胞膜片的培养装置和制备方法在审

专利信息
申请号: 201910303032.1 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110004061A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 高爽;靳新;王娟;赵玉菲;谭玉琴;李志生;常德华 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C12M3/00 分类号: C12M3/00;C12M1/38;C12M1/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张海强;王莉莉
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 绝缘基板 细胞膜片 培养装置 半导体制冷器件 培养容器 制备 半导体热电偶 细胞培养技术 配置
【说明书】:

本公开提供了一种细胞膜片的培养装置和制备方法,涉及细胞培养技术领域。细胞膜片的培养装置包括半导体制冷器件、以及被配置为培养细胞膜片的一个或多个培养容器。半导体制冷器件包括第一绝缘基板、第二绝缘基板、以及设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间的至少一个半导体热电偶。所述一个或多个培养容器设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧。

技术领域

本公开涉及细胞培养技术领域,尤其涉及一种细胞膜片的培养装置和制备方法。

背景技术

细胞膜片是细胞分泌的外基质与细胞连接形成的一种膜片状组织。细胞膜片的细胞密度高、细胞分布均匀、且质地均一,可以用于皮肤、软骨、角膜、心肌等器官或组织的修复。

发明内容

相关技术中,细胞膜片可以利用涂覆有温敏高分子层的温敏培养皿来制备得到。在制备细胞膜片时,需要调节温敏培养皿的温度。

有鉴于此,本公开实施例提供了如下技术方案。

根据本公开实施例的一方面,提供一种细胞膜片的培养装置,包括:半导体制冷器件、以及被配置为培养细胞膜片的一个或多个培养容器。半导体制冷器件包括第一绝缘基板、第二绝缘基板、以及设置在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间的至少一个半导体热电偶。所述一个或多个培养容器设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧。

在一些实施例中,所述半导体制冷器件还包括:导热部件,设置在所述第一绝缘基板远离所述第二绝缘基板的一侧,所述导热部件上设置有所述一个或多个培养容器。

在一些实施例中,所述导热部件具有一个或多个凹槽,一个凹槽中设置有一个培养容器。

在一些实施例中,所述第一绝缘基板在第二绝缘基板上的投影在所述导热部件在所述第二绝缘基板上的投影之内。

在一些实施例中,至少一个所述培养容器的底部远离所述第一绝缘基板的一面上设置有温敏高分子层,所述温敏高分子层的表面能随着温度的变化而单调变化。

在一些实施例中,所述温敏高分子层的表面能随着温度的升高而升高。

在一些实施例中,所述至少一个半导体热电偶包括N个半导体热电偶,N为大于或等于2的整数,其中:每个半导体热电偶包括导电类型不同的第一半导体部和第二半导体部,所述第一半导体部和第二半导体部中的每一个均包括相对设置的第一面和第二面,所述第一面比所述第二面更靠近所述第一绝缘基板,所述第一半导体部的第一面和所述第二半导体的第一面通过第一金属件连接,并且第i个半导体热电偶的第一半导体部的第二面和第i+1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面通过第二金属件连接,其中,1≤i≤N-1。

在一些实施例中,所述半导体制冷器件还包括第一开关、第一电源和第二电源,其中:所述第一电源的第一极通过第三金属件与第1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面连接,所述第一电源的第二极被配置为通过所述第一开关和第四金属件与第N个半导体热电偶的第一半导体部的第二面连接;所述第二电源的第二极通过所述第三金属件与第1个半导体热电偶的第二半导体部的第二面连接,所述第二电源的第一极被配置为通过所述第一开关和所述第四金属件与第N个半导体热电偶的第一半导体部第二面连接;所述第一开关被配置为响应于用户操作,与所述第一电源的第二极和所述第二电源的第一极中的一个连接;其中,所述第一极和所述第二极中的一个为正极、另一个为负极。

在一些实施例中,所述半导体制冷器件还包括:温度监测部件,被配置为监测所述第一绝缘基板的温度;控制器,被配置为根据所述第一绝缘基板的温度控制所述第一开关的状态。

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