[发明专利]OLED面板发光层的处理方法、OLED面板制备方法及OLED面板有效
申请号: | 201910303065.6 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110048031B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 王士攀 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 发光 处理 方法 制备 | ||
1.一种OLED面板发光层的处理方法,其特征在于,所述OLED面板发光层的处理方法包括以下步骤:在驱动基板上打印制备空穴注入层,空穴传输层及发光层之后,采用发光层材料的不良溶剂冲洗驱动基板的发光层表面以降低该发光层表面处的掺杂发光分子含量,
其中,所述采用发光层材料的不良溶剂冲洗驱动基板的发光层表面的步骤包括:
使所述驱动基板旋转,所述驱动基板转速为500~5000r/s;
在氮气的环境下采用N2清洗所述驱动基板的所述发光层表面10~30s;以及
再采用所述发光层材料的不良溶剂冲洗所述驱动基板的所述发光层表面20~150s。
2.根据权利要求1所述的OLED面板发光层的处理方法,其特征在于,所述方法还包括:
在采用发光层材料的不良溶剂对冲洗驱动基板的发光层表面之后,将所述驱动基板转移至退火设备中进行退火处理。
3.根据权利要求2所述的OLED面板发光层的处理方法,其特征在于,所述退火处理的退火时间为5~30min。
4.根据权利要求1所述的OLED面板发光层的处理方法,其特征在于,所述发光层材料的不良溶剂为醇类、醚类或酮类。
5.根据权利要求4所述的OLED面板发光层的处理方法,其特征在于,所述发光层材料的不良溶剂为醇类时,所述发光层材料的不良溶剂为甲醇,乙醇,异丙醇,正己醇,乙二醇或丙二醇;
所述发光层材料的不良溶剂为醚类时,所述发光层材料的不良溶剂为甲醚,乙醚,苯甲醚或二甘醇一丁醚;
所述发光层材料的不良溶剂为酮类时,所述发光层材料的不良溶剂为丙酮,丁酮,环己酮或苯乙酮。
6.一种OLED面板制备方法,其特征在于,所述OLED面板制备方法包括:
在驱动基板上依次打印制备空穴注入层,空穴传输层及发光层;
在驱动基板上打印制备空穴注入层,空穴传输层及发光层之后,采用发光层材料的不良溶剂冲洗驱动基板的发光层表面以降低该发光层表面处的掺杂发光分子含量;
在采用发光层材料的不良溶剂对冲洗驱动基板的发光层表面之后,将所述驱动基板转移至退火设备中进行退火处理;
将所述驱动基板转移至真空腔室蒸镀电子传输层及阴极,
其中,所述采用发光层材料的不良溶剂冲洗驱动基板的发光层表面的步骤包括:
使所述驱动基板旋转,所述驱动基板转速为500~5000r/s;
在氮气的环境下采用N2清洗所述驱动基板的所述发光层表面10~30s;以及
再采用所述发光层材料的不良溶剂冲洗所述驱动基板的所述发光层表面20~150s。
7.根据权利要求6所述的OLED面板制备方法,其特征在于,所述打印制备空穴注入层,空穴传输层及发光层的每次打印操作包括打印处理,干燥处理,退火处理三个步骤,所述打印处理的方式为喷墨打印,所述打印处理在空气或N2环境下进行。
8.根据权利要求7所述的OLED面板制备方法,其特征在于,所述干燥处理方式为真空抽气干燥,真空抽气干燥时,真空压力范围为0.00001~500mbar。
9.一种OLED面板,其特征在于,所述OLED面板采用如权利要求6至8中任一所述的OLED面板制备方法制备得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910303065.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种掩膜板
- 下一篇:二次电池及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择