[发明专利]一种测量不同介质间的接触电阻的方法及装置在审
申请号: | 201910304386.8 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110007151A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 孙豪 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 刘小峰 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触电阻 测量 总电阻 计算机可读存储介质 计算机设备 线性拟合 拟合 贴合 | ||
1.一种测量不同介质间的接触电阻的方法,其特征在于,包括:
将第一介质和第二介质贴合在一起,测量二者的总电阻;
保持第一介质不变并多次改变第二介质的厚度,分别测量每次的总电阻;以及
对测量的多个总电阻进行线性拟合,并通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对测量的多个总电阻进行线性拟合包括:在直角坐标系中对测量的多个总电阻进行线性拟合,得到一元线性拟合曲线。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻包括:将所述一元线性拟合曲线反向延长交于所述直角坐标系的纵轴,所述交点为所述第一介质和第二介质的接触电阻。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述一元线性拟合曲线可以用下式表示:
Y=KX+b,其中,Y表示总电阻,X表示第二介质的厚度,K表示一元线性拟合曲线的斜率,b表示第一介质和第二介质的接触电阻。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多次改变的多个第二介质的厚度成等差数列。
6.一种计算机设备,其特征在于,包括:
至少一个处理器;以及
存储器,所述存储器存储有可在所述处理器上运行的计算机指令,所述指令由所述处理器执行以实现如下步骤:
将第一介质和第二介质贴合在一起,测量二者的总电阻;
保持第一介质不变并多次改变第二介质的厚度,分别测量每次的总电阻;以及
对测量的多个总电阻进行线性拟合,并通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻。
7.根据权利要求6所述的计算机设备,其特征在于,对测量的多个总电阻进行线性拟合包括:在直角坐标系中对测量的多个总电阻进行线性拟合,得到一元线性拟合曲线。
8.根据权利要求7所述的计算机设备,其特征在于,通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻包括:将所述一元线性拟合曲线反向延长交于所述直角坐标系的纵轴,所述交点为所述第一介质和第二介质的接触电阻。
9.根据权利要求8所述的计算机设备,其特征在于,所述一元线性拟合曲线可以用下式表示:
Y=KX+b,其中,Y表示总电阻,X表示第二介质的厚度,K表示一元线性拟合曲线的斜率,b表示第一介质和第二介质的接触电阻。
10.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时执行权利要求1-5任意一项所述的方法。
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