[发明专利]一种测量不同介质间的接触电阻的方法及装置

说明书

本发明公开了一种测量不同介质间的接触电阻的方法，包括：将第一介质和第二介质贴合在一起，测量二者的总电阻；保持第一介质不变并多次改变第二介质的厚度，分别测量每次的总电阻；以及对测量的多个总电阻进行线性拟合，并通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻。本发明还公开了一种测量不同介质间的接触电阻的计算机设备和计算机可读存储介质。本发明提出的测量不同介质间的接触电阻的方法及装置可以非常简便的测量出接触电阻，且精度较高。

技术领域

本发明涉及电路测量领域，更具体地，特别是指一种测量不同介质间的接触电阻的方法及装置。

背景技术

当两种介质接触时，在接触面会产生接触电阻。在一般的电路中，要求接触电阻在10-20mohm以下，有的开关则要求在100-500uohm以下。有些电路对接触电阻的变化很敏感。接触电阻的存在对电路，尤其是数字电路的逻辑信号会产生不利的影响。因此，如何准确地测量出不同介质之间的接触电阻尤为重要。

由于接触电阻不存在实体，在我们用一般的测量方法，比如用万用表进行电阻的测量时无法直接测量出接触电阻，只能测量出两种介质的总电阻，包括接触电阻和两种介质的体电阻。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提出一种测量不同介质间的接触电阻的方法及装置，其能够通过一种介质厚度的变化简单直观的测量出两种介质之间的接触电阻。

基于上述目的，本发明实施例的一方面提供了一种测量不同介质间的接触电阻的方法，包括如下步骤：将第一介质和第二介质贴合在一起，测量二者的总电阻；保持第一介质不变并多次改变第二介质的厚度，分别测量每次的总电阻；以及对测量的多个总电阻进行线性拟合，并通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻。

在一些实施方式中，对测量的多个总电阻进行线性拟合包括：在直角坐标系中对测量的多个总电阻进行线性拟合，得到一元线性拟合曲线。

在一些实施方式中，通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻包括：将所述一元线性拟合曲线反向延长交于所述直角坐标系的纵轴，该交点为第一介质和第二介质的接触电阻。

在一些实施方式中，一元线性拟合曲线可以用下式表示：Y＝KX+b，其中，Y表示总电阻，X表示第二介质的厚度，K表示一元线性拟合曲线的斜率，b表示第一介质和第二介质的接触电阻。

在一些实施方式中，多次改变的多个第二介质的厚度成等差数列。

本发明实施例的另一方面，还提供了一种测量不同介质间的接触电阻的计算机设备，包括：至少一个处理器；以及存储器，所述存储器存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，所述指令由所述处理器执行以实现如下步骤：将第一介质和第二介质贴合在一起，测量二者的总电阻；保持第一介质不变并多次改变第二介质的厚度，分别测量每次的总电阻；以及对测量的多个总电阻进行线性拟合，并通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻。

在一些实施方式中，对测量的多个总电阻进行线性拟合包括：在直角坐标系中对测量的多个总电阻进行线性拟合，得到一元线性拟合曲线。

在一些实施方式中，通过拟合所得到的曲线来确定第一介质和第二介质的接触电阻包括：将所述一元线性拟合曲线反向延长交于所述直角坐标系的纵轴，交点为第一介质和第二介质的接触电阻。

在一些实施方式中，一元线性拟合曲线可以用下式表示：Y＝KX+b，其中，Y表示总电阻，X表示第二介质的厚度，K表示一元线性拟合曲线的斜率，b表示第一介质和第二介质的接触电阻。

本发明实施例的再一方面，还提供了一种测量不同介质间的接触电阻的计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有被处理器执行时执行如上所述方法的计算机程序。

本发明具有以下有益技术效果：简单易操作，准确度较高，能够适应不同的介质。