[发明专利]参考电压驱动器

权利要求书

1.一种参考电压驱动器，其特征在于，包括：

放大器、主输出级、从输出级和阱偏置单元，所述主输出级、所述从输出级和所述阱偏置单元均与所述放大器连接；其中，所述主输出级包括第一晶体管，所述从输出级包括第二晶体管，所述阱偏置单元包括第三晶体管；所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管共用一个阱区，且所述阱区连接所述第三晶体管的源极；所述第二晶体管的源极电压等于所述第一晶体管的源极电压，所述第二晶体管的源极电压作为输出参考电压，所述第三晶体管的源极产生与所述输出参考电压相等的阱偏置电压。

2.如权利要求1所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述主输出级还包括检测单元和电流源，所述检测单元用于将所述主输出级的电压和电流复制到所述从输出级。

3.如权利要求2所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述检测单元包括第四晶体管，所述第一晶体管的漏极用于接入电源电压，所述第一晶体管的源极连接所述第四晶体管的源极；所述第四晶体管的漏极和栅极连接所述电流源的一端，所述电流源的另一端用于接地。

4.如权利要求3所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述从输出级还包括第一负载，所述阱偏置单元还包括第二负载，所述第一负载和所述第二负载的吸收电流能力均大于所述电流源的吸收电流能力。

5.如权利要求4所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述第一负载包括第五晶体管，所述第二晶体管的漏极用于接入所述电源电压，所述第二晶体管的源极连接所述第五晶体管的源极，所述第五晶体管的栅极连接所述第四晶体管的栅极，所述第五晶体管的漏极用于接地。

6.如权利要求4所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述第二负载包括第六晶体管，所述第三晶体管的漏极用于接入所述电源电压，所述第三晶体管的源极连接所述第六晶体管的源极，所述第六晶体管的栅极连接所述第四晶体管的栅极，所述第六晶体管的漏极用于接地。

7.如权利要求6所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极的尺寸比等于所述第五晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极的尺寸比，所述第三晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极的尺寸比等于所述第六晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极的尺寸比。

8.如权利要求6所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管均为NMOS晶体管，所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管均为PMOS晶体管。

9.如权利要求1至6任意一项所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述放大器为负反馈放大器。

10.如权利要求9所述的参考电压驱动器，其特征在于，所述放大器的正输入端用于接入参考信号，所述放大器的负输入端连接所述第一晶体管的源极，所述放大器的输出端分别连接所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极以及所述第三晶体管的栅极。