[发明专利]参考电压驱动器

说明书

本发明提供了一种参考电压驱动器，其特征在于，包括：放大器、以及分别与放大器连接的主输出级、从输出级和阱偏置单元；主输出级包括第一晶体管，从输出级包括第二晶体管，阱偏置单元包括第三晶体管；三个晶体管共用一个阱区，且阱连接第三晶体管的源极；第二晶体管的源极电压等于第一晶体管的源极电压，第二晶体管的源极电压为输出参考电压，第三晶体管的源极产生与输出参考电压相等的阱偏置电压。第一晶体管和第二晶体管共用一个阱区从而增加了匹配度，解决了失调电压较大的问题，且没有增加寄生电容。三个晶体管中的每个晶体管的源极电压和衬底电压相等在同一电平，则消除了衬偏效应，从而降低了放大器的输出电平。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体而言涉及一种参考电压驱动器。

背景技术

模数转换器(ADC)广泛应用在电路中，通常模数转换器(ADC)的正常工作需要参考电压驱动器为其提供稳定的参考电压。参考电压驱动器的精度、稳定性及噪声性能等直接影响ADC的性能。

传统的应用在模数转换器中的参考电压驱动器通常采用放大器和主、从输出级结构，存在主、从输出级中晶体管失调电压较大、增加了寄生电容，以及放大器的输出电平较大问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种参考电压驱动器，主、从输出级中的晶体管共用一个阱区，解决了晶体管失调电压较大问题的同时不增加主、从输出级中的晶体管的寄生电容；该参考电压驱动器没有衬偏效应，降低了放大器的输出电平。

为解决上述技术问题，本发明提供一种参考电压驱动器，包括：

放大器、主输出级、从输出级和阱偏置单元，所述主输出级、所述从输出级和所述阱偏置单元均与所述放大器连接；其中，所述主输出级包括第一晶体管，所述从输出级包括第二晶体管，所述阱偏置单元包括第三晶体管；所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管共用一个阱区，且所述阱区连接所述第三晶体管的源极；所述第二晶体管的源极电压等于所述第一晶体管的源极电压，所述第二晶体管的源极电压作为输出参考电压，所述第三晶体管的源极产生与所述输出参考电压相等的阱偏置电压。

可选地，所述主输出级还包括检测单元和电流源，所述检测单元用于将所述主输出级的电压和电流复制到所述从输出级。

可选地，所述检测单元包括第四晶体管，所述第一晶体管的漏极用于接入电源电压，所述第一晶体管的源极连接所述第四晶体管的源极；所述第四晶体管的漏极和栅极连接所述电流源的一端，所述电流源的另一端用于接地。

可选地，所述从输出级还包括第一负载，所述阱偏置单元还包括第二负载，所述第一负载和所述第二负载的吸收电流能力均大于所述电流源的吸收电流能力。

可选地，所述第一负载包括第五晶体管，所述第二晶体管的漏极用于接入所述电源电压，所述第二晶体管的源极连接所述第五晶体管的源极，所述第五晶体管的栅极连接所述第四晶体管的栅极，所述第五晶体管的漏极用于接地。

可选地，所述第二负载包括第六晶体管，所述第三晶体管的漏极用于接入所述电源电压，所述第三晶体管的源极连接所述第六晶体管的源极，所述第六晶体管的栅极连接所述第四晶体管的栅极，所述第六晶体管的漏极用于接地。

可选地，所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极的尺寸比等于所述第五晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极的尺寸比，所述第三晶体管的栅极与所述第一晶体管的栅极的尺寸比等于所述第六晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极的尺寸比。

可选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管均为NMOS晶体管，所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管均为PMOS晶体管。

可选地，所述放大器为负反馈放大器。