[发明专利]一种钼掺杂片状二硒化钴/石墨烯复合电极材料的制备方法

权利要求书

1.一种钼掺杂片状CoSe₂/石墨烯复合电极材料的制备方法，其特征在于：所述复合电极材料以石墨烯为基底，在其表面均匀生长片状CoSe₂，并通过离子交换反应获得钼掺杂；

具体包括以下步骤：

（1）将钴源、表面活性剂、40mg氧化石墨烯在水中超声分散均匀，并将混合溶液转移至水热反应釜内；

（2）将步骤（1）获得体系在聚四氟乙烯反应釜中进行水热反应；

（3）将步骤（2）所得产物用去离子水和乙醇清洗，真空干燥后将其与0.2 mmol~1mmol的钼源共同至于瓷舟中，在氩气气氛下煅烧；

（4）在另一个瓷舟中放入硒粉，将其置于步骤（3）体系中，将煅烧温度提高至700℃，气氛改为氩气和氢气的混合气体，继续煅烧1小时，制得钼掺杂片状CoSe₂/石墨烯复合电极材料；

步骤（1）中钴源为硝酸钴，表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵;

步骤（3）中钼源为钼酸铵，并且在熔融状态下进行离子交换反应；步骤（3）中煅烧具体为1小时，温度为200℃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：硝酸钴、十六烷基三甲基溴化铵的摩尔比为：2：1。

3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）所述水热反应温度为140~220℃，反应时间为24 h。

4.一种如权利要求1所述的制备方法制得的钼掺杂片状CoSe₂/石墨烯复合电极材料的应用，其特征在于：所述复合电极材料作为锂离子电池电极材料。