[发明专利]一种选择性正面钝化PERC太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性正面钝化PERC太阳能电池的制备方法，其特征在于具体包括以下步骤：

⑴对P型硅制绒；

⑵在由步骤⑴所得产品的正面上形成N型薄膜；

⑶在N型薄膜上对应正银电极图形的区域涂蜡，再烘干；

⑷去除P型硅上未涂蜡区域的N型薄膜；

⑸在由步骤⑷所得产品的正面上扩散磷源形成N型硅；

⑹去除蜡和在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结，并对产品的背面进行刻蚀；

⑺对由步骤⑹所得产品进行退火；

⑻在由步骤⑺所得产品的正面和背面上分别沉积正面钝化膜和背面钝化膜；

⑼在由步骤⑻所得产品的背面上激光开槽贯通背面钝化膜，使P型硅露于开槽中；

⑽在由步骤⑼所得产品的背面印刷背银电极浆料并烘干；

⑾在由步骤⑽所得产品的背面印刷铝浆并烘干；

⑿在由步骤⑾所得产品正面的N型薄膜上印刷正银电极浆料并烘干；

⒀对由步骤⑿所得产品进行高温烧结，形成背银电极、全铝背场或铝栅线和正银电极，全铝背场或铝栅线通过开槽与P型硅相连；

⒁对由步骤⒀所得产品进行抗LID退火。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：完成步骤⑴后，先在P型硅的正面上形成隧道氧化层，再在隧道氧化层上形成N型薄膜，并在所述步骤⑷中，同时去除P型硅上未涂蜡区域的隧道氧化层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤⑶中，涂蜡的区域面积大于正银电极的面积，使得完成步骤⑷后，留存于对应正银电极区域的隧道氧化层和N型薄膜的面积大于正银电极的面积。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述N型薄膜为多晶硅薄膜或碳化硅薄膜。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述N型薄膜采用低压化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法制备而成，工艺气体为PH3和SiH4，或PH3、SiH4和CH4。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述隧道氧化层采用热氧化工艺、热硝酸氧化工艺或者臭氧氧化工艺制备而成。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述N型薄膜的厚度是5～50nm。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述隧道氧化层的厚度为5～10nm。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤⑷中，采用HF酸将P型硅上未涂蜡区域的N型薄膜去掉。