[发明专利]一种选择性正面钝化PERC太阳能电池的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910306879.5 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN110137270A 公开(公告)日: 2019-08-16
发明(设计)人: 林纲正;方结彬;张小明 申请(专利权)人: 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 侯莉
地址: 300400 天津市北辰区天津北辰*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 烘干 退火 背面钝化膜 太阳能电池 正银电极 钝化膜 印刷 钝化 浆料 去除 涂蜡 制备 背面 光电转换效率 降低接触电阻 扩散 背银电极 钝化效果 钝化作用 高温烧结 硅片背面 激光开槽 磷硅玻璃 少子复合 场钝化 沉积 刻蚀 磷源 铝浆 制绒 电池 贯通
【说明书】:

发明公开一种选择性正面钝化PERC太阳能电池的制备方法,包括:⑴对P型硅制绒;⑵在正面上形成N型薄膜;⑶在N型薄膜上对应正银电极图形的区域涂蜡,烘干;⑷去除P型硅上未涂蜡区域的N型薄膜;⑸扩散磷源形成N型硅;⑹去除蜡和在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结,对硅片背面进行刻蚀;⑺退火;⑻沉积正面钝化膜和背面钝化膜;⑼在背面上激光开槽贯通背面钝化膜;⑽印刷背银电极浆料并烘干;⑾背面印刷铝浆并烘干;⑿在N型薄膜上印刷正银电极浆料并烘干;⒀高温烧结;⒁抗LID退火。本发明正面钝化膜的钝化作用和N型薄膜的场钝化作用可以降低少子复合速率,增强钝化效果;且N型薄膜可降低接触电阻,提高电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及一种选择性正面钝化PERC太阳能电池的制备方法。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。当太阳光照射在半导体P-N结上时,会形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后形成电流。

PERC太阳能电池一般采用常规的正面钝化技术,在硅片的正面使用PECVD方式沉积一层氮化硅,以降低少子在前表面的复合速率,提升晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

但是,随着当前对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高,如何进一步提高PERC太阳能电池的光电转换效率是目前业界亟待解决的技术难题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够提升电池的光电转换效率、成本低、工艺简单的选择性正面钝化PERC太阳能电池的制备方法。

本发明的目的通过如下的技术方案来实现:一种选择性正面钝化PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

⑴对P型硅制绒;

⑵在由步骤⑴所得产品的正面上形成N型薄膜;

⑶在N型薄膜上对应正银电极图形的区域涂蜡,再烘干;

⑷去除P型硅上未涂蜡区域的N型薄膜;

⑸在由步骤⑷所得产品的正面上扩散磷源形成N型硅;

⑹去除蜡和在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结,并对硅片背面进行刻蚀;

⑺对由步骤⑹所得产品进行退火;

⑻在由步骤⑺所得产品的正面和背面上分别沉积正面钝化膜和背面钝化膜;

⑼在由步骤⑻所得产品的背面上激光开槽贯通背面钝化膜,使P型硅露于开槽中;

⑽在由步骤⑼所得产品的背面印刷背银电极浆料并烘干;

⑾在由步骤⑽所得产品的背面印刷铝浆并烘干;

⑿在由步骤⑾所得产品正面的N型薄膜上印刷正银电极浆料并烘干;

⒀对由步骤⑿所得产品进行高温烧结,形成背银电极、全铝背场或铝栅线和正银电极,全铝背场或铝栅线通过开槽与P型硅相连;

⒁对由步骤⒀所得产品进行抗LID退火。

本发明在硅片上对应正银电极的区域设置N型薄膜,N型薄膜是指重掺杂磷源或其它源的薄膜,正面钝化膜的钝化作用和N型薄膜的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率,增强钝化效果;同时,N型薄膜对于多子来说具有良好的传导性,可降低接触电阻,最终提高电池的光电转换效率。本发明结构简单,制备工艺简单,设备投入成本低,而且与现有生产线兼容性好,对现有生产线进行简单改造后即可使用,因此,适于广泛推广和适用。

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