[发明专利]一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用

权利要求书

1.一种CdTe纳米晶薄膜的表面钝化处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl₂溶液，所述螯合剂包括草酸、葡萄糖酸、甘氨酸及马米酸，所述螯合剂溶液的浓度为2 mg/mL-20 mg/mL，所述沉积螯合剂溶液的步骤包括：将螯合剂溶解于溶剂中得到均匀的溶液，将螯合剂溶液经旋涂、刷涂、喷涂、印刷或喷墨打印的方式沉积到CdTe纳米晶薄膜表面；所述溶剂包括水、甲醇及乙醇；沉积的厚度为5 nm-50 nm；然后进行热处理，得到表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜。

2.根据权利要求1所述的表面钝化处理方法，其特征在于，所述CdTe纳米晶薄膜的厚度为200 nm-700 nm。

3.根据权利要求1所述的表面钝化处理方法，其特征在于，所述CdCl₂溶液为溶质CdCl₂溶解于溶剂甲醇中形成的溶液；所述CdCl₂溶液的浓度为60%饱和度-100%饱和度；所述CdCl₂溶液的涂覆厚度为20 nm-100 nm。

4.根据权利要求1所述的表面钝化处理方法，其特征在于，所述热处理的温度为250℃-400℃；所述热处理的时间为20 min-50 min。

5.根据权利要求1所述的表面钝化处理方法，其特征在于，所述在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl₂溶液，能够先沉积螯合剂溶液然后在涂覆CdCl₂溶液；也能够先涂覆CdCl₂溶液然后再沉积螯合剂溶液；还能够将螯合剂溶液和CdCl₂溶液混匀后再生长在CdTe纳米晶薄膜上。

6.一种由权利要求1-5任一项所述的表面钝化处理方法处理的CdTe纳米晶薄膜。

7.权利要求6所述的表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜应用于组装具有倒装结构的CdTe纳米晶太阳能电池中。