[发明专利]解键合装置及其穿刺机构有效
申请号: | 201910307443.8 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN110034050B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 童灿钊;李迁;巫礼杰;刘盛;高云峰 | 申请(专利权)人: | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何锋;何平 |
地址: | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 解键合 装置 及其 穿刺 机构 | ||
本发明涉及一种解键合装置及其穿刺机构,该穿刺机构包括基座、滑座、刀片及弹性件,滑座滑动连接于基座;刀片与滑座相连接;弹性件与滑座弹性相抵,以通过滑座向刀片提供预压力,预压力大于或等于刺破力;其中,刺破力为刀片穿刺键合物以进入硅片与载片之间时所需的力。本发明的解键合装置及其穿刺机构,利用弹性件预压刀片来穿刺硅片与载片之间的键合物,以破除硅片与载片之间可能存在的真空吸附,以避免硅片与载片分离时硅片或载片受损。
技术领域
本发明属于半导体加工技术领域,尤其涉及能够解除硅片与载片之间的解键合装置及其穿刺机构。
背景技术
近年来,随着半导体器件不断响应“更快、更便宜、更小”的需求,为满足制造需求,减薄硅片已是大势所趋,但超薄器件硅片具有柔性和易碎性,容易翘曲和起伏,因此需要一种支撑系统来使加工顺利进行。在此背景下,临时键合/解键合技术应运而生。将待加工的晶元与承载晶元的载片通过键合胶进行键合,键合后对待加工晶元进行加工处理,由于有载片的补强,待加工晶元不容易产生翘曲和起伏。待加工晶元加工完成后,需要将晶元与载片进行剥离。
目前,在利用激光解键合技术将硅片与玻璃载体进行分离时,容易因解键合不彻底而影响硅片与玻璃载体的分离效果,以至于分离过程中硅片或载玻片出现扯裂,导致载片不可重复利用,利用率降低,制作成本较高,也可能直接损坏硅片,导致工件报废。
发明内容
基于此,有必要提供一种能够避免解键合分离时硅片或载片易受损伤的穿刺机构以及包括该穿刺机构的解键合装置。
本申请提供一种穿刺机构,用于穿刺所述硅片与载片之间的键合物,包括:
基座;
滑座,所述滑座滑动连接于所述基座;
刀片,所述刀片与所述滑座相连接;及
弹性件,所述弹性件与所述滑座弹性相抵,以通过所述滑座向所述刀片提供预压力,所述预压力大于或等于刺破力;
其中,所述刺破力为所述刀片穿刺所述键合物以进入所述硅片与所述载片之间时所需的力。
在其中一个实施方式中,所述穿刺机构包括位移传感器和警报器,所述位移传感器与所述警报器电连接,所述位移传感器用于检测所述滑座与所述基座之间的相对位移量,当所述位移传感器所检测到的相对位移量超出预设位移量时,所述警报器发出警报。
在其中一个实施方式中,所述穿刺机构包括压力传感器和警报器,所述压力传感器与所述警报器电连接,所述压力传感器用于检测所述弹性件的弹力,当所述压力传感器所检测到的弹力超过预设压力值时,所述警报器发出警报。
在其中一个实施方式中,所述弹性件包括压缩弹簧,所述滑座与所述压力传感器之间设有导杆,所述压缩弹簧套设于所述导杆,且所述压缩弹簧将所述导杆弹性抵压于所述压力传感器。
在其中一个实施方式中,所述滑座上开设有导向孔,所述导向孔的延伸方向与所述滑座相对所述基座的滑动方向相同;所述导杆可滑动伸缩地插设于所述导向孔。
在其中一个实施方式中,所述穿刺机构包括吹气组件,所述吹气组件用于朝所述刀片穿刺所述键合物所形成的穿刺孔吹气,以使得气体由所述穿刺孔进入所述硅片与所述载片之间。
在其中一个实施方式中,所述吹气组件包括若干吹气块,所述吹气块与所述滑座相连接,且所述刀片固定于所述吹气块。
在其中一个实施方式中,所述刀片的刺入端厚度为0.09mm至0.11mm。
另一方面,本申请提供一种解键合装置,包括上述的穿刺机构。
在其中一个实施方式中,所述解键合装置包括:
影像识别模块,所述影像识别模块用于识别所述刀片的刺入端相对所述滑座的偏移量;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造