[发明专利]晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法有效
| 申请号： | 201910307591.X | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110082177B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李毅峰;杨詠钧;郑义明;林丽娟;杨培华;谢忠诚 | 申请（专利权）人： | 宸鸿科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊;高珊 |
| 地址： | 361006 福建省厦门市湖*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 电子元件 tem 过程 造成 辐照 损伤 清洁 方法 | ||
1.一种晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：其包括以下步骤：
步骤S1，提供基于聚焦离子束系统获得置于一基底之上的晶体电子元件样品，所述晶体电子元件样品具有预设厚度；
步骤S2，选用基底之上非样品区域，在低电压下将聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散调整至预设状态；
步骤S3，将所述晶体电子元件样品进行角度倾斜，以对所述晶体电子元件样品基于设定条件进行加工，以减少所述晶体电子元件样品的辐照损伤，
其中，上述步骤S3中进一步包括将样品进行第一角度倾转，设置停留时间和加工时间，以对样品进行第一次加工；及将样品进行第二角度倾转，设置停留时间和加工时间，以对样品进行第二次加工，
其中，所述第一角度与第二角度中具体倾转角度为5°-10°，
其中，所述停留时间为1μs-10μs，所述加工时间为30s-3min。
2.如权利要求1中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：上述步骤S2中，在低电压下调整聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散至预设状态具体包括：进行低电压下电子束对中、光阑对中、像散X/Y对中，随后进行光阑孔对焦。
3.如权利要求2中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：所述光阑孔的尺寸为150μm、80μm或30μm中任一种。
4.如权利要求1中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：所述第一角度的倾转对应为正角度倾转，所述第二角度的倾转对应为负角度倾转。
5.如权利要求1中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：上述步骤S1具体包括以下步骤：提供晶体电子元件的初始样品；将晶体电子元件的初始样品制成样品片材，对所述样品片材进行表面预处理获得待处理样品后备用；进行聚焦离子束系统光阑像散校正；利用聚焦离子束系统将制得的待处理样品进行处理，以制得置于一基底之上的晶体电子元件样品。
6.如权利要求1中所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：对样品进行TEM制样时，采用30keV-40keV的加速电压对样品进行处理。
7.如权利要求1-6中任一项所述晶体电子元件在TEM制样过程中造成辐照损伤的清洁方法，其特征在于：在上述步骤S2中，在电压为5keV以下调整聚焦离子束系统中电子束、光阑及像散至预设状态。
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