[发明专利]基板支撑架以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板支撑架，包括：

底座，内部形成有吸附电极，进而通过静电力吸附以及保持基板；

气孔，在所述底座的中心部上下贯通所述底座，以使吹扫气体供应于所述底座的上面与所述基板的下面之间；

凹槽，在所述底座上面形成凹陷的流道形状诱导通过所述气孔供应的所述吹扫气体从所述底座的中心区域扩散到边缘区域，进而在进行处理所述基板的工艺时隔绝工艺气体流到所述底座的上面与所述基板下面之间；

压花，形成多个所述压花以在所述底座上面形成凸出图形来支撑所述基板，并且间隔固定间隔距离以使在所述凸出图形上支撑的所述基板的下面向所述凸出图形之间开放，诱导通过所述凹槽扩散的所述吹扫气体通过所述凸出图形之间扩散到在所述凸出图形上支撑的所述基板的下面外侧。

2.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，

所述压花包括：

第一压花，为了在所述底座的所述中心区域支撑所述基板，形成在所述中心区域的所述凸出图形在所述底座的上面以第一间隔距离间隔配置多个所述第一压花并且形成具有第一直径的圆筒形状；

第二压花，为了在所述底座的边缘区域支撑所述基板，形成在所述边缘区域的所述凸出图形在所述底座的上面配置成包围多个所述第一压花的形状，并且以第二间隔距离间隔配置多个所述第二压花形成具有第二直径的圆筒形状。

3.根据权利要求2所述的基板支撑架，其特征在于，

所述第一压花的所述第一直径与所述第二压花的第二直径形成相同大小，所述第二压花的所述第二间隔距离小于所述第一压花的所述第一间隔距离。

4.根据权利要求3所述的基板支撑架，其特征在于，

所述第一压花，

在所述底座上面的所述中心区域多个所述第一压花具有19mm至20mm的所述第一间隔距离并且配置成三角形或者网格形状；

所述第二压花，

以所述底座的中心轴为基准以所述第二间隔距离等角配置5度左右形成放射状，以配置成包围多个所述第一压花的环形状。

5.根据权利要求2所述的基板支撑架，其特征在于，

所述第一压花的所述第一间隔距离与所述第二压花的所述第二间隔距离形成相同间隔距离；所述第一压花的所述第一直径小于所述第二压花的所述第二直径。

6.根据权利要求5所述的基板支撑架，其特征在于，

所述第一压花形成2.5mm至2.6mm的所述第一直径的圆筒形状；

所述第二压花形成2.95mm至3.05mm的所述第二直径的圆筒形状。

7.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，

所述凹槽包括：

第一中心凹槽，在所述底座上面的所述中心区域形成圆弧形状或者环形状，并且与所述气孔连接；

第二中心凹槽，在所述底座上面的所述中心区域形成包围所述第一中心凹槽的环形状；以及

边缘凹槽，在所述底座上面的所述边缘区域形成包围所述第二中心凹槽的环形状。

8.根据权利要求7所述的基板支撑架，其特征在于，

所述凹槽包括：

第一连接凹槽，连接所述气孔与所述第一中心凹槽；

多个第二连接凹槽，以所述底座的中心轴为基准等角配置成放射状，并且连接所述第一中心凹槽与所述第二中心凹槽。

9.根据权利要求1所述的基板支撑架，其特征在于，

所述凹槽，

横截面宽度为2mm至4mm，深度为50μm至100μm。

10.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

工艺腔室，形成可处理基板的内部空间；

基板支撑架，设置在所述工艺腔室的所述内部空间，进而支撑所述基板；以及

喷头，设置在所述工艺腔室的上部，以与所述基板支撑架相互面对，进而向所述基板支撑架喷射工艺气体；

其中，所述基板支撑架包括：

底座，内部形成有吸附电极，进而通过静电力吸附以及保持基板；

气孔，在所述底座的中心部上下贯通所述底座，以使吹扫气体供应于所述底座的上面与所述基板的下面之间；

凹槽，在所述底座上面形成凹陷的流道形状以诱导通过所述气孔供应的所述吹扫气体从所述底座的中心区域扩散到边缘区域，进而在进行处理所述基板的工艺时隔绝工艺气体流到所述底座的上面与所述基板下面之间；

压花，形成多个所述压花以在所述底座上面形成凸出图形来支撑所述基板，并且间隔固定间隔距离以使在所述凸出图形上支撑的所述基板的下面向所述凸出图形之间开放，诱导通过所述凹槽扩散的所述吹扫气体通过所述凸出图形之间扩散到在所述凸出图形上支撑的所述基板的下面外侧。