[发明专利]基板支撑架以及基板处理装置

说明书

本发明作为涉及能够向被静电力吸附的基板的后面供应吹扫气体的基板支撑架以及基板处理装置，可包括：底座，内部形成有吸附电极；气孔，在所述底座的中心部上下贯通所述底座；凹槽，在所述底座上面形成凹陷的流道形状；压花，形成多个所述压花以在所述底座上面形成凸出图形来支撑所述基板，并且间隔固定间隔距离以使在所述凸出图形上支撑的所述基板的下面向所述凸出图形之间开放。

技术领域

本发明涉及基板支撑架以及基板处理装置，更详细地说，涉及能够向被静电力吸附的基板的后面供应吹扫气体的基板支撑架以及基板处理装置。

背景技术

对于基板处理装置，为了在基板的处理工艺中固定基板，正在使用基板支撑架。通常，基板支撑架利用静电吸盘，静电吸盘利用在放在表面的导体或者半导体构成的吸附物之间产生的静电力吸附(Chucking)基板。由于如此的基板支撑架与基板直接接触吸附基板，因此在基板支撑架的基板吸附面粘附的颗粒等的污染物被粘附于基板的下面，进而在基板处理工艺中引起问题，这种粘附于基板的颗粒等的污染物显着降低了作为最终产品的半导体器件等的产量，并且可二次污染在各个工艺中使用的制造装置。

据此，正在利用人如下的基板支撑架：利用在基板支撑架的基板吸附面凸出形成的压花支撑基板减少基板支撑架的基板吸附面与基板下面的接触面积，进而可防止基板下面被颗粒等的污染物或者工艺气体的残留物污染。但是，这种现有的基板支撑架以及基板处理装置为，基板支撑架的中心区域利用在基板吸附面凸出形成的压花支撑基板的中心区域，而基板支撑架的边缘区域利用在基板吸附面以环形状凸出形成的密封带(Seal Band)支撑基板的边缘区域，进而以堵住基板下面的边缘区域的结构支撑基板。据此，在基板蒸镀金属薄膜的工艺的情况，因为在基板支撑架边缘区域的密封带沉积的薄膜引起降低夹持基板的静电力的问题。据此，在初期可吸附基板，但是随着累积执行工艺，出现吸附不良，并且因为基板吸附不良，出现后面产生电弧放电(Arcing)的问题。

发明内容

(要解决的问题)

本发明是用于解决包括如上所述的问题在内的各种问题的，将吹扫气体供应于基板支撑架的基板吸附面与由压花支撑的基板下面之间，在基板吸附面形成凹槽和压花，以用于在基板吸附面将吹扫气体以预定流量均匀地扩散到基板的边缘区域，进而可防止在边缘区域蒸镀金属薄膜。据此，提供一种基板支撑架以及基板处理装置，即使累积执行工艺也能够稳定地吸附基板，并且能够防止后面出现电弧放电。但是，该问题不过是示例性的，不得由此限定本发明的范围。

(解决问题的手段)

根据本发明的一观点，提供基板支撑架。所述基板支撑架可包括：底座，内部形成有吸附电极，进而通过静电力吸附以及保持基板；气孔，在所述底座的中心部上下贯通所述底座，以使吹扫气体供应于所述底座的上面与所述基板的下面之间；凹槽，在所述底座上面形成凹陷的流道形状诱导通过所述气孔供应的所述吹扫气体从所述底座的中心区域扩散到边缘区域，进而在进行处理所述基板的工艺时隔绝工艺气体流到所述底座的上面与所述基板下面之间；压花，形成多个所述压花以在所述底座上面形成凸出图形来支撑所述基板，并且间隔固定间隔距离以使在所述凸出图形上支撑的所述基板的下面向所述凸出图形之间开放，诱导通过所述凹槽扩散的所述吹扫气体通过所述凸出图形之间扩散到在所述凸出图形上支撑的所述基板的下面外侧。

在所述基板支撑架中，所述压花可包括：第一压花，为了在所述底座的所述中心区域支撑所述基板，形成在所述中心区域的所述凸出图形在所述底座的上面以第一间隔距离间隔配置多个所述第一压花并且形成具有第一直径的圆筒形状；第二压花，为了在所述底座的边缘区域支撑所述基板，形成在所述边缘区域的所述凸出图形在所述底座的上面配置成包围多个所述第一压花的形状，并且以第二间隔距离间隔配置多个所述第二压花形成具有第二直径的圆筒形状。

在所述基板支撑架中，所述第一压花的所述第一直径与所述第二压花的第二直径形成相同大小，所述第二压花的所述第二间隔距离可小于所述第一压花的所述第一间隔距离。