[发明专利]一种噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料及其制备方法与应用

说明书

本发明涉及一种噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料及其制备方法与应用，所述有机电致发光材料具有如下通式结构：其中，所述的P₁与所述的P₂相同，为膦氧化衍生物；所述的X₁与所述的X₂相同，为含氮芳香基团或含酮基芳香基团。所述噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料，具有合适的分子量、较高的玻璃化转变温度、分子间不易结晶或聚集、良好的成膜稳定性；所述噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料，在紫外光区吸收高、可见光区吸收低、光折射率高，在应用于OLED器件的CPL层后，可显著提升OLED器件的光提取效率。

技术领域

本发明涉及一种噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料及其制备方法与应用，涉及有机光电材料技术领域。

背景技术

有机电致发光二级管(OLED)产生于上世纪80年代，是一种将电能转化为光能的有机器件，它具有自发光、广视角、相应速度快、色域宽广、可实现柔性显示等诸多优点，经过三十年的不断发展，该技术已逐步走向成熟，目前，有机电致发光技术，已经广泛应用在智能手机、平板电视、虚拟现实等诸多商品中。

但是，由于OLED的外量子效率和内量子效率之间存在巨大差距，极大地制约了OLED的发展。因此，如何提高OLED的光提取效率成为研究热点。ITO薄膜和玻璃衬底的界面以及玻璃衬底和空气的界面处会发生全反射，出射到OLED器件前向外部空间的光约占有机材料薄膜EL总量的20％，其余约80％的光主要以导波形式限制在有机材料薄膜、ITO薄膜和玻璃衬底中。可见常规OLED器件的出光效率较低(约为20％)，这严重制约了OLED的发展和应用。如何减少OLED器件中的全反射效应、提高光耦合到器件前向外部空间的比例(出光效率)引起人们的广泛关注。

目前，实现提高OLED外量子效率的一类重要方法是在基底出光表面添加表面覆盖层，即CPL层。该方式工艺简单，发光效率提高30％以上，近年来开始引人关注。且根据光学吸收、折射原理，此表面覆盖层材料的折射率应该越高越好。

目前，常采用的CPL材料为空穴层材料或电子层材料，如Alq₃，但其折射率也仅有1.7～1.8，略高于一般的OLED有机材料的1.5左右。故此，研发新型的CPL层材料已成为业内热门课题。

发明内容

本发明针对现有技术存在的不足，提供一种噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料及其制备方法与应用，所述噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料，具有合适的分子量、较高的玻璃化转变温度、分子间不易结晶或聚集、良好的成膜稳定性；所述噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料，在紫外光区吸收高、可见光区吸收低、光折射率高，在应用于OLED器件的CPL层后，可显著提升OLED器件的光提取效率。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种噻吩并吡嗪的双膦氧化衍生物类有机电致发光材料，所述有机电致发光材料具有如下通式结构：

其中，所述的P₁与所述的P₂相同，所述的P₁为膦氧化衍生物，所述的P₂为膦氧化衍生物；所述的X₁与所述的X₂相同，所述的X₁为含氮芳香基团或含酮基芳香基团，所述X₂为含氮芳香基团或含酮基芳香基团。

进一步的，所述的P₁与所述的P₂相同，所述的P₁与所述的P₂选自下列结构式中的任意一种：