[发明专利]复合薄膜晶体管和制造方法、阵列基板、显示面板和装置

权利要求书

1.一种复合薄膜晶体管，其特征在于，包括：两个P型薄膜晶体管、一个第一N型薄膜晶体管和一个第二N型薄膜晶体管；

P型薄膜晶体管的有源层为P型掺杂低温多晶硅，第二N型薄膜晶体管的有源层为金属氧化物；

两个P型薄膜晶体管的栅极和一个第一N型薄膜晶体管的栅极连接在一起，并与栅极信号输入端连接；

其中一P型薄膜晶体管的漏极为复合薄膜晶体管的漏极，源极与第二N型薄膜晶体管的漏极连接，第二N型薄膜晶体管的源极为复合薄膜晶体管的源极；

另一P型薄膜晶体管的源极与第一信号端连接，漏极与第一N型薄膜晶体管的源极连接，第一N型薄膜晶体管的漏极与第二信号端连接；

第二N型薄膜晶体管的栅极与第一N型薄膜晶体管的源极连接。

2.如权利要求1所述的复合薄膜晶体管，其特征在于，第一信号端用于输入高电平信号，第二信号端用于输入低电平信号。

3.如权利要求1所述的复合薄膜晶体管，其特征在于，所述第一N型薄膜晶体管的有源层为N型掺杂低温多晶硅，或为金属氧化物。

4.如权利要求1或3所述的复合薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物或者氧化锌。

5.如权利要求3所述的复合薄膜晶体管，其特征在于，当所述第一N型薄膜晶体管的有源层为N型掺杂低温多晶硅时，P型薄膜晶体管的有源层和所述第一N型薄膜晶体管的有源层位于同一层。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的复合薄膜晶体管。

7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求6所述的阵列基板。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。

9.一种如权利要求1-5任一项所述的复合薄膜晶体管的制造方法，包括有源层、栅极、源极和漏极的制作，其特征在于，有源层的制作包括：

提供一衬底基板，通过构图工艺在衬底基板上制作低温多晶硅有源层；

对所述低温多晶硅有源层进行掺杂；

在进行掺杂后，在所述衬底基板上通过构图工艺制作金属氧化物有源层。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，对所述低温多晶硅有源层进行掺杂，包括：

对所述低温多晶硅有源层进行P型掺杂，形成P型掺杂低温多晶硅有源层；

或，对部分所述低温多晶硅有源层进行P型掺杂，形成P型掺杂低温多晶硅有源层，对其余部分有源层进行N型掺杂，形成N型掺杂低温多晶硅有源层。

11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，通过构图工艺在衬底基板上制作低温多晶硅有源层，包括：

在衬底基板上依次制作缓冲层和非晶硅层，并对非晶硅层进行晶化处理，形成低温多晶硅层；

通过构图工艺对低温多晶硅层进行图案化，形成低温多晶硅有源层。

12.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，具体包括：

在衬底基板上制作有源层，并在所述有源层上通过构图工艺依次制作栅极绝缘层和栅极；

在制作有所述栅极的衬底基板上，通过构图工艺，依次制作中间绝缘层、源极和漏极。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，制作所述源极和所述漏极后，还包括：

在制作有所述源极和所述漏极的衬底基板上沉积绝缘层，并通过构图工艺形成保护层。