[发明专利]复合薄膜晶体管和制造方法、阵列基板、显示面板和装置

说明书

本发明实施例提供了一种复合薄膜晶体管，包括：至少两个P型薄膜晶体管、至少一个第一N型薄膜晶体管和至少一个第二N型薄膜晶体管。P型薄膜晶体管的有源层为P型掺杂低温多晶硅，第二N型薄膜晶体管的有源层为金属氧化物。由于在本发明实施例的复合薄膜晶体管中包括了至少两个P型薄膜晶体管、至少一个第一N型薄膜晶体管和至少一个第二N型薄膜晶体管及其相应的连接关系，当栅极的电压为正电压时，该复合薄膜晶体管在关态下的漏电流极低，此时等效关态电流值极低；当栅极电压为负电压时，该复合薄膜晶体管处于等效开态的状态，使得该复合薄膜晶体管等价为一种低漏电流的P型薄膜晶体管。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体为复合薄膜晶体管和制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

近年来，显示技术得到快速发展，薄膜晶体管技术由原来的非晶硅薄膜晶体管发展到现在的低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管等。目前广泛应用的氧化物薄膜晶体管采用氧化物半导体作为有源层，具有迁移率大、开态电流高、开关特性更优、均匀性更好的特点，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用，如：高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。

但是，本申请的发明人发现，对于氧化物薄膜晶体管而言，优点是氧化物薄膜晶体管的关态电流极低，缺点是在现有技术中尚无成熟的P型氧化物薄膜晶体管的制作工艺。对于低温多晶硅薄膜晶体管而言，优点是能够较容易地制作P型低温多晶硅薄膜晶体管与N型低温多晶硅薄膜晶体管，缺点是制作的P型低温多晶硅薄膜晶体管与N型低温多晶硅薄膜晶体管具有较高的关态电流(Ioff约为10pA～100pA)。

因此，需要一种新型薄膜晶体管，使其能够等价为一种低关态电流的P型薄膜晶体管。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种复合薄膜晶体管和制造方法、阵列基板、显示面板和显示装置，解决现有技术中无法制作出一种具有低关态电流的P型薄膜晶体管的技术问题。

为了解决上述问题，本发明实施例主要提供如下技术方案：

在第一方面中，本发明实施例公开了一种复合薄膜晶体管，包括：至少两个P型薄膜晶体管、至少一个第一N型薄膜晶体管和至少一个第二N型薄膜晶体管；

P型薄膜晶体管的有源层为P型掺杂低温多晶硅，第二N型薄膜晶体管的有源层为金属氧化物；

两个P型薄膜晶体管的栅极和一个第一N型薄膜晶体管的栅极连接在一起，并与栅极信号输入端连接；

其中一P型薄膜晶体管的漏极为复合薄膜晶体管的漏极，源极与第二N型薄膜晶体管的漏极连接，第二N型薄膜晶体管的源极为复合薄膜晶体管的源极；

另一P型薄膜晶体管的源极与第一信号端连接，漏极与第一N型薄膜晶体管的源极连接，第一N型薄膜晶体管的漏极与第二信号端连接；

第二N型薄膜晶体管的栅极与第一N型薄膜晶体管的源极连接。

可选地，第一信号端用于输入高电平信号，第二信号端用于输入低电平信号。

可选地，所述第一N型薄膜晶体管的有源层为N型掺杂低温多晶硅，或为金属氧化物。

可选地，所述金属氧化物为铟镓锌氧化物或者氧化锌。

可选地，当所述第一N型薄膜晶体管的有源层为N型掺杂低温多晶硅时，P型薄膜晶体管的有源层和所述第一N型薄膜晶体管的有源层位于同一层。

在第二方面中，本发明实施例公开了一种阵列基板，包括第一方面所述的复合薄膜晶体管。

在第三方面中，本发明实施例公开了一种显示面板，包括第二方面所述的阵列基板。

在第四方面中，本发明实施例公开了一种显示装置，包括第三方面所述的显示面板。