[发明专利]一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法在审
| 申请号： | 201910309200.8 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110066982A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张绍璞;范刚 | 申请（专利权）人： | 厦门阿匹斯智能制造系统有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭锦辉;陈艺琴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市集美区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 根柱 磁极 中频输出端 磁场分布 磁控溅射 电连接 真空室 产线 镀膜 四边形对角线 连续设置 时间缩短 维护保养 接地 输出端 室内 | ||
1.一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，包括真空室，四根柱靶，两个中频输出端，其特征在于，所述四根柱靶位于所述真空室内并呈四边形分布，其中位于所述四边形一边的其中两根柱靶与其中一个中频输出端电连接，位于所述四边形另一边的另两根柱靶与另一个中频输出端电连接，所述四根柱靶上分别设置有三个磁极，所述三个磁极连续设置，其中位于所述四边形对角线的其中两根柱靶的三个磁极是N极、S极和N极，另外两根柱靶的三个磁极是S极、N极和S极，所述真空室接地。
2.根据权利要求1所述的一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，其特征在于，所述两个中频输出电源位于所述真空室外部，与所述电源连接的柱靶位于真空室内部。
3.根据权利要求1所述的一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，其特征在于，所述四边形为菱形。
4.根据权利要求1所述的一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，其特征在于，所述四边形为正方形。
5.根据权利要求1所述的一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，其特征在于，所述四边形为长方形。
6.根据权利要求1-5之一所述的一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，其特征在于，相邻柱靶靶表面间距范围50-150mm。
7.根据权利要求1-5之一所述的一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，其特征在于，位于所述四边形对角线的两根柱靶表面间距范围100-400mm。
8.根据权利要求1-5之一所述的一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，其特征在于，所述磁场分布的磁场强度为300-800mT。
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