[发明专利]一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法

说明书

本发明公开了一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，包括真空室，四根柱靶，两个中频输出端，所述四根柱靶位于所述真空室内并呈四边形分布，其中位于所述四边形一边的其中两根柱靶与其中一个中频输出端电连接，位于所述四边形另一边的另两根柱靶与另一个中频输出端电连接，所述四根柱靶上分别设置有三个磁极，所述三个磁极连续设置，其中位于所述四边形对角线的其中两根柱靶的三个磁极是N极、S极和N极，另外两根柱靶的三个磁极是S极、N极和S极，所述真空室接地。本发明相同的镀膜厚度，所需要的镀膜时间缩短30％‑60％，且能节省20％左右的维护保养时间。

技术领域

本发明涉及一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法。

背景技术

针对真空镀膜机而言，现有两两相对圆柱形磁控溅射对靶采用的是相同极性分布的磁场，这会导致面对面的磁场相斥，使得等离子体沿着非闭合磁感线逃离镀膜区域被腔体壁吸收，故膜层沉积效率及其紧致程度大大降低。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种PVD(物理气相沉积)镀膜产线磁控溅射的磁场分布。

本发明通过以下技术方案来实现：一种PVD镀膜产线磁控溅射的磁场分布方法，包括真空室，四根柱靶，两个中频输出端，所述四根柱靶位于所述真空室内并呈四边形分布，其中位于所述四边形一边的其中两根柱靶与其中一个中频输出端电连接，位于所述四边形另一边的另两根柱靶与另一个中频输出端电连接，所述四根柱靶上分别设置有三个磁极，所述三个磁极连续设置，其中位于所述四边形对角线的其中两根柱靶的三个磁极是N极、S极和N极，另外两根柱靶的三个磁极是S极、N极和S极，所述真空室接地。

优选地，所述两个中频输出电源位于所述真空室外部，与所述电源连接的柱靶位于真空室内部。

优选地，所述四边形为菱形。

优选地，所述四边形为正方形。

优选地，所述四边形为长方形。

优选地，相邻柱靶靶表面间距范围50-150mm。

优选地，位于所述四边形对角线的两根柱靶表面间距范围100-400mm。

优选地，所述磁场分布的磁场强度为300-800mT。

本发明具有如下有益效果：1.根据推算，相同的镀膜厚度，所需要的镀膜时间缩短30％-60％；2.因流失较少，真空腔体清洁周期能加长一倍时间，这将节省20％左右的维护保养时间。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1是本发明的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。