[发明专利]集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

工作磁隧道结(MTJ)器件，连接至位线，其中，所述工作磁隧道结器件被配置为存储数据状态；以及

调节访问装置，连接在所述工作磁隧道结器件和第一字线之间，其中，所述调节访问装置包括被配置为控制提供给所述工作磁隧道结器件的电流的多个调节磁隧道结器件，

其中，流过所述工作磁隧道结器件的电流等于流过所述多个调节磁隧道结器件的电流之和，

其中，所述工作磁隧道结器件具有直接连接至所述位线的工作自由层，所述工作磁隧道结器件包括工作固定层，并且所述多个调节磁隧道结 器件的每个均包括直接连接至所述工作固定层的自由层。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述多个调节磁隧道结器件分别还包括：

固定层；

介电阻挡层，其中，所述自由层通过所述介电阻挡层与所述固定层分隔开。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述调节访问装置包括：

第一调节磁隧道结器件，连接在所述第一字线和所述工作磁隧道结器件之间；以及

第二调节磁隧道结器件，连接在第二字线和所述工作磁隧道结器件之间，其中，所述第一字线和所述第二字线连接至字线解码器。

4.根据权利要求3所述的集成芯片，其中，所述第一调节磁隧道结器件具有比所述第二调节磁隧道结器件更大的尺寸。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述调节访问装置包括：

第一调节磁隧道结器件，连接在所述第一字线和所述工作磁隧道结器件之间；以及

第二调节磁隧道结器件，连接在第二位线和所述工作磁隧道结器件之间，其中，所述第一字线连接至字线解码器，并且所述位线和所述第二位线连接至位线解码器。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述工作磁隧道结器件不位于存取晶体管器件正上方。

7.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

偏置电压线，连接在所述多个调节磁隧道结器件中的第一调节磁隧道结器件和所述工作磁隧道结器件之间。

8.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述工作磁隧道结器件通过设置在衬底上方的介电结构与所述多个调节磁隧道结器件中的第一调节磁隧道结器件横向分隔开。

9.根据权利要求8所述的集成芯片，还包括：

第二工作磁隧道结器件，布置在位于所述工作磁隧道结器件正上方的存储单元内，其中，所述第二工作磁隧道结器件被配置为存储第二数据状态。

10.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述工作磁隧道结器件通过不延伸穿过所述工作磁隧道结器件下面的半导体衬底的连续导电路径连接在所述位线和所述第一字线之间。

11.一种集成电路，包括：

第一互连层，布置在衬底上方的介电结构内，其中，所述第一互连层通过所述介电结构与所述衬底分隔开；

工作磁隧道结器件，布置在所述第一互连层正上方并且被配置为存储数据状态，其中，所述工作磁隧道结器件通过包括多个互连层且不延伸穿过所述衬底的连续导电路径电连接在位线和第一字线之间；以及

调节访问装置，包括被配置为控制提供给所述工作磁隧道结器件的电流的多个调节磁隧道结器件，

其中，流过所述工作磁隧道结器件的电流等于流过所述多个调节磁隧道结器件的电流之和，

其中，所述工作磁隧道结器件具有直接连接至所述位线的工作自由层，所述工作磁隧道结器件还包括工作固定层，并且所述多个调节磁隧道结 器件的每个调节磁隧道结器件均包括直接连接至所述工作固定层的对应自由层。