[发明专利]集成电路及其形成方法

说明书

在其它实施例中，本发明的实施例涉及集成电路及其形成方法。集成电路包括被配置为存储数据状态的工作磁隧道结(MTJ)器件。工作MTJ器件连接至位线。调节访问装置连接在工作MTJ器件和第一字线之间。调节访问装置具有被配置为控制提供给工作MTJ器件的电流的一个或多个调节MTJ器件。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及集成电路及其形成方法。

背景技术

许多现代电子器件包含配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在上电时存储数据，而非易失性存储器能够在断开电源时存储数据。磁阻式随机存取存储器(MRAM)是用于下一代非易失性存储器技术的一种有前景的候选。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种集成芯片，包括：工作磁隧道结(MTJ)器件，连接至位线，其中，所述工作磁隧道结器件被配置为存储数据状态；以及调节访问装置，连接在所述工作磁隧道结器件和第一字线之间，其中，所述调节访问装置包括被配置为控制提供给所述工作磁隧道结器件的电流的一个或多个调节磁隧道结器件。

根据本发明的另一个方面，提供了一种集成电路，包括：第一互连层，布置在衬底上方的介电结构内，其中，所述第一互连层通过所述介电结构与所述衬底分隔开；以及工作MTJ器件，布置在所述第一互连层正上方并且被配置为存储数据状态，其中，所述工作MTJ器件通过包括多个互连层且不延伸穿过所述衬底的连续导电路径电连接在位线和第一字线之间。

根据本发明的又一个方面，提供了一种形成集成电路的方法，包括：在衬底上方形成第一互连层；在所述第一互连层正上方形成多个MTJ器件，其中，所述多个MTJ器件包括工作MTJ器件和一个或多个调节MTJ器件，所述一个或多个调节MTJ器件被配置为选择性地控制流至所述工作MTJ器件的电流；以及在所述多个MTJ器件上方形成第二互连层，其中，所述第一互连层和所述第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对操作磁隧道结(MTJ)器件提供访问。

图2示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括调节MTJ器件，该调节MTJ器件被配置为选择性地对工作MTJ器件提供访问。

图3A至图3C示出了图2的公开的存储器电路的读取和写入操作的一些实施例的示意图。

图4A至图4B示出了对应于图2的公开的存储器电路的集成芯片的截面图的一些实施例。

图5A至图5B示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例，该调节访问装置被配置为选择性地对工作MTJ器件提供访问。

图6A至图6B示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例，该调节访问装置被配置为选择性地对工作MTJ器件提供访问。

图7A至图7B示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例，该调节访问装置被配置为选择性地对工作MTJ器件提供访问。

图8A至图8B示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例，该调节访问装置被配置为选择性地对工作MTJ器件提供访问。

图9至图12示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例，该存储器电路包括存储单元，该存储单元包括被配置为选择性地对工作MTJ器件提供访问的调节访问装置。