[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201910311057.6 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110047800B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 李继禄 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/266;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底基板，在所述衬底基板上制备多晶硅层，所述多晶硅层包括对应于第一型薄膜晶体管的第一多晶硅层和对应于第二型薄膜晶体管的第二多晶硅层，所述第一多晶硅层和第二多晶硅层同层设置；
在所述多晶硅层上制备光阻层，所述光阻层对应于所述第二型薄膜晶体管栅极区域的厚度大于其余区域所述光阻层的厚度；
对所述多晶硅层进行第一离子掺杂；
对所述光阻层进行处理，减薄并保留所述第一型薄膜晶体管栅极对应区域的光阻层，剥离其余区域的所述光阻层；
对所述多晶硅层进行第二离子掺杂，所述第二离子与所述第一离子不同；
剥离剩余所述光阻层。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅层对应于N型薄膜晶体管，所述第二多晶硅层对应于P型薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述光阻层由一道半透光光罩技术制备所得。
4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述半透光光罩为灰阶光罩或半色调光罩。
5.如权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述半透光光罩具有不透光区、半透光区及剩余的全透光区，其中所述不透光区用于形成对应于所述第二型薄膜晶体管栅极区域的光阻层，所述半透光区用于形成其余区域所述光阻层。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述光阻层进行处理包括灰化处理和剥离处理，所述灰化处理为通过氧气对所述光阻层进行灰化处理，所述剥离处理为刻蚀操作。
7.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述多晶硅层进行第一离子掺杂的掺杂离子为硼离子，所述硼离子植入能量为B-25KeV-1E15。
8.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述多晶硅层进行第二离子掺杂的掺杂离子为磷离子，所述磷离子植入能量为P-15KeV-4E14。
9.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为40～60nm。
10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由权利要求1至9任一项所述的阵列基板的制备方法制备所得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
