[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，其制备方法包括：提供衬底基板，在衬底基板上制备对应于第一型薄膜晶体管的第一多晶硅层和对应于第二型薄膜晶体管的第二多晶硅层；在多晶硅层上制备光阻层，光阻层对应于第二型薄膜晶体管栅极区域的厚度大于其余区域光阻层的厚度；对多晶硅层进行第一离子掺杂；对光阻层进行处理，减薄并保留第一型薄膜晶体管栅极对应区域的光阻层，剥离其余区域的光阻层；对多晶硅层进行第二离子掺杂；剥离剩余光阻层。本发明通过制备出针对不同离子植入区域不同厚度的光阻层，可各采用一道离子植入制程完成第一离子和第二离子的植入，减少了离子植入制程，缓解了现有阵列基板存在离子植入制程工序复杂、生产成本高的问题。

技术领域

本发明涉及显示器制程领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板是目前LCD装置和OLED装置中的主要组成部件，其性能直接关系着显示装置的性能。LTPS(Low temperature poly-silicon，低温多晶硅)，由于具有高的电子迁移率，被广泛用于中小尺寸高分辨率的LCD和OLED显示面板的制作。为满足高阶产品的开发，LTPS面板TFT驱动电路多采用CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）驱动。

如图1所示，现有的CMOS阵列基板的制备方法包括制备多晶硅有源层，其具体步骤包括：如图1中（a）所示，在基板100上依次制备缓冲层200和多晶硅层300；如图1中（b）所示，对所述多晶硅层300进行第一道硼离子植入；如图1中（c）所示，对所述多晶硅层300进行磷离子植入；如图1中（d）所示，对所述多晶硅层300进行第二道硼离子植入。即所述多晶硅有源层的制备需要三道离子植入制程，每一道离子植入占用一道Mask，生产成本高。

因此，现有阵列基板存在离子植入制程工序复杂的问题，需要改进。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制备方法，以解决现有阵列基板存在离子植入制程工序复杂的问题。

为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板上制备对应于第一型薄膜晶体管的第一多晶硅层和对应于第二型薄膜晶体管的第二多晶硅层，所述第一多晶硅层和第二多晶硅层同层设置；

在所述多晶硅层上制备光阻层，所述光阻层对应于所述第二型薄膜晶体管栅极区域的厚度大于其余区域所述光阻层的厚度；

对所述多晶硅层进行第一离子掺杂；

对所述光阻层进行处理，减薄并保留所述第一型薄膜晶体管栅极对应区域的光阻层，剥离其余区域的所述光阻层；

对所述多晶硅层进行第二离子掺杂，所述第二离子与所述第一离子不同；

剥离剩余所述光阻层。

在本发明提供的阵列基板的制备方法中，所述第一多晶硅层对应于N型薄膜晶体管，所述第二多晶硅层对应于P型薄膜晶体管。

在本发明提供的阵列基板的制备方法中，所述光阻层由一道半透光光罩技术制备所得。

在本发明提供的阵列基板的制备方法中，所述半透光光罩为灰阶光罩或半色调光罩。

在本发明提供的阵列基板的制备方法中，所述半透光光罩具有不透光区、半透光区及剩余的全透光区，其中所述不透光区用于形成对应于所述第二型薄膜晶体管栅极区域的光阻层，所述半透光区用于形成其余区域所述光阻层。