[发明专利]一种晶圆缺陷扫描对比方法在审
申请号: | 201910313965.9 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN109994398A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 陈超;许向辉;王奇伟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/892;G06T7/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对比组 缺陷扫描 芯片 晶圆 极坐标 缺陷检测结果 影像数据 极径 种晶 扫描 缓存 定义芯片 对比分析 极坐标系 缺陷结果 扫描光束 同一直线 噪声信号 有效地 输出 重复 | ||
1.一种晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,所述对比方法包括如下步骤:
定义芯片位置,在扫描机台的扫描程式中定义各芯片在晶圆上的位置分布图,并以所述晶圆的中心作为极点建立极坐标系,根据极坐标系标记各芯片在所述晶圆内的极坐标;
划分对比组,根据所述晶圆上的芯片数量和各芯片在所述晶圆内的极坐标位置划分若干对比组,位于同一对比组内的各芯片的极坐标的极径偏差在设定极径误差范围内;
进行缺陷扫描,在所述晶圆上选取位于同一直线上的若干芯片,采用扫描光束对位于同一所述直线上的若干芯片进缺陷扫描,得到各芯片的影像数据并进行缓存;
进行扫描对比,在上述缺陷扫描过程中,待同一对比组内的各芯片均完成扫描后,将缓存的位于同一所述对比组内的多个所述芯片的影像数据进行对比分析,得到对应的所述对比组的缺陷检测结果;
输出缺陷结果,重复上述缺陷扫描和扫描对比步骤,直至得到所有对比组的缺陷检测结果并输出所述晶圆的最终缺陷检测结果。
2.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,在划分对比组时,将邻近的芯片划分至同一个所述对比组内。
3.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,在划分对比组时,将与晶圆载台移动方向平行的且关于所述晶圆的中心对称的两芯片划分至同一个所述对比组内。
4.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,在划分对比组时,任一所述对比组内的芯片数量均不少于3个。
5.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,在划分对比组时,任一所述对比组内的芯片数量均不少于5个。
6.如权利要求4或5所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,在划分对比组时,任一所述对比组内的芯片数量均不超过8个。
7.如权利要求1所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,还包括在定义芯片位置之前,将所述晶圆与所述扫描机台对准的步骤。
8.如权利要求6所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,通过在所述晶圆上设置对准标记使所述扫描机台与所述晶圆对准。
9.如权利要求8所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,所述直线是与所述晶圆的对准标记开口方向垂直的直线。
10.如权利要求8所述的晶圆缺陷扫描对比方法,其特征在于,所述直线是与所述晶圆的对准标记开口方向平行的直线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造