[发明专利]一种晶圆缺陷扫描对比方法在审
申请号: | 201910313965.9 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN109994398A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 陈超;许向辉;王奇伟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/892;G06T7/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对比组 缺陷扫描 芯片 晶圆 极坐标 缺陷检测结果 影像数据 极径 种晶 扫描 缓存 定义芯片 对比分析 极坐标系 缺陷结果 扫描光束 同一直线 噪声信号 有效地 输出 重复 | ||
本发明提供了一种晶圆缺陷扫描对比方法,包括如下步骤:定义芯片位置,根据极坐标系标记各芯片在晶圆内的极坐标;划分对比组,根据晶圆上的芯片数量和各芯片在晶圆内的极坐标位置划分对比组,位于同一对比组内的各芯片的极坐标的的极径偏差在设定极径误差范围内;进行缺陷扫描,采用扫描光束对位于同一直线上的若干芯片进缺陷扫描,得到各芯片的影像数据并进行缓存;进行扫描对比,将位于同一对比组内的多个芯片的影像数据进行对比分析,得到对比组的缺陷检测结果;输出缺陷结果,重复上述缺陷扫描和扫描对比步骤,直至得到所有对比组的缺陷检测结果。本发明可以有效排除噪声信号的干扰,进而可以有效地反映晶圆上的缺陷情况。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种晶圆缺陷扫描对比方法。
背景技术
在半导体生产制造过程中需要采用扫描机台对晶圆表面的缺陷进行检测。扫描机台的工作原理是采用光学检测的方式对晶圆表面进行扫描,将获取的数字化扫描图像信号作邻近芯片间的相互对比,之后将对比结果与预设的阈值比较,并留下超过阈值的缺陷信号,最后输出缺陷坐标位置结果。目前业内主要的缺陷检测供应商及其产品包括有KT公司的KLA亮场系列和AMAT公司的UVISION系列以及其他机型等。其中,KT公司的各缺陷扫描机型采用的是逐行进行扫描的扫描方式,对比方式是将位于同一行的多个芯片作互相对比的横向对比方式,而UVISION系列机型采用的是逐列进行扫描的扫描方式,对比方式是将位于同一列的多个芯片作互相对比的纵向对比方式。
由于晶圆表面不同位置的各层膜厚存在差异,当不同位置的芯片在检测过程中被检测光束扫描并作芯片间的相互对比时,检测光束经过晶圆表面反射后形成的干涉情况也会互不相同,并在信号接收部分接收到强度不同的检测信号,造成色差现象。由膜厚差异所造成的色差现象是使得缺陷检测过程中不可避免地出现噪声信号的主要原因,而噪声信号会降低真实缺陷在检测机台中的所得到的信噪比,从而造成真实缺陷被漏检的风险。一般,噪声信号可以在后续的算法层面上采用软件设置阈值参数的方法被过滤,从而让工程师获得有效的缺陷分布情况,但是当膜厚差异较大导致噪声信号过大而淹没缺陷信号时,就较难同时过滤该噪声信号并保留真实的缺陷信号。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷扫描对比方法,可以解决由于膜厚差异造成的色差现象所导致的噪声信号强度过大而淹没缺陷信号,导致真实缺陷被漏检的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种晶圆缺陷扫描对比方法,该对比方法包括如下步骤:
定义芯片位置,在扫描机台的扫描程式中定义各芯片在晶圆上的位置分布图,并以所述晶圆的中心作为极点建立极坐标系,根据极坐标系标记各芯片在所述晶圆内的极坐标;
划分对比组,根据所述晶圆上的芯片数量和各芯片在所述晶圆内的极坐标位置划分若干对比组,位于同一对比组内的各芯片的极坐标的极径偏差在设定极径误差范围内;
进行缺陷扫描,在所述晶圆上选取位于同一直线上的若干芯片,采用扫描光束对位于同一直线上的若干芯片进缺陷扫描,得到各芯片的影像数据并进行缓存;
进行扫描对比,在上述扫描过程中,待同一对比组内的各芯片均完成扫描后,将缓存的位于同一所述对比组内的多个所述芯片的影像数据进行对比分析,得到所述对比组的缺陷检测结果;
输出缺陷结果,重复上述缺陷扫描和扫描对比步骤,直至得到所有对比组的缺陷检测结果并输出所述晶圆的最终缺陷检测结果。
可选的,在划分对比组时,将邻近的芯片划分至同一个所述对比组内。
可选的,在划分对比组时,将与晶圆载台移动方向平行的且关于所述晶圆的中心对称的两芯片划分至同一个所述对比组内。
可选的,在划分对比组时,任一所述对比组内的芯片数量均不少于3个。
可选的,在划分对比组时,任一所述对比组内的芯片数量均不少于5个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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