[发明专利]一种半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910313976.7 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN109950141A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵健;徐友峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯模 图形化 牺牲层 半导体结构 选择性刻蚀 刻蚀工艺 去除 形貌 侧壁垂直 晶圆表面 双重图形 细化处理 侧壁 侧墙 衬底 刻蚀 覆盖 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有芯模层及覆盖所述芯模层的牺牲层；
刻蚀所述牺牲层及所述芯模层以形成图形化的牺牲层及图形化的芯模层；
采用选择性刻蚀工艺对所述图形化的芯模层的侧壁进行选择性刻蚀，以对所述图形化的芯模层执行细化处理；
去除所述图形化的牺牲层。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述图形化的牺牲层之后，所述半导体结构的形成方法还包括：
在所述图形化的芯模层侧壁形成侧墙。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述图形化的芯模层执行细化处理之后，所述图形化的芯模层的横向宽度尺寸小于或等于38nm。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述图形化的芯模层执行细化处理之后，所述图形化的芯模层的侧壁与顶面之间构成的夹角介于90°-110°之间。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，利用选择性湿法刻蚀工艺对所述图形化的芯模层的侧壁进行选择性刻蚀。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述芯模层的材料为氧化硅，所述牺牲层的材料为硅。
8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述选择性湿法刻蚀工艺的刻蚀液为四甲基氢氧化铵或氢氧化钾。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，利用选择性干法刻蚀工艺对所述图形化的芯模层的侧壁进行选择性刻蚀。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺刻蚀所述牺牲层及所述芯模层以形成图形化的牺牲层及图形化的芯模层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
