[发明专利]基片载置装置和基片载置方法在审
申请号: | 201910316575.7 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN110391168A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 牛丸浩二;糸永将司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 载置 载置台 吸引孔 突起 吸引 表面形成 载置装置 支承基片 下表面 形变 减小 晶片 翘曲 吸附 | ||
1.一种基片载置装置,其特征在于,包括:
能够载置基片的载置台;
多个突起,其设置在所述载置台的表面,各自支承所述基片;
吸引孔,其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口,用于吸引载置于所述载置台的基片的下表面;和
控制部,其输出控制信号来执行:
第一步骤,其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片,以将所述基片吸附在所述载置台;和
第二步骤,其接着第一步骤,使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力,以将所述基片吸附在所述载置台。
2.如权利要求1所述的基片载置装置,其特征在于:
所述吸引孔包括第一吸引孔和第二吸引孔,所述第一吸引孔和所述第二吸引孔分别独立地吸引载置于所述载置台的基片的下表面的彼此不同的第一区域、第二区域,
所述第一步骤中,吸引载置于所述载置台的所述基片的所述第一区域和所述第二区域,以将所述基片吸附在所述载置台,
所述第二步骤中,吸引所述第二区域,并且使作用在所述第一区域的吸引力小于在所述第一步骤中作用在该第一区域的吸引力。
3.如权利要求2所述的基片载置装置,其特征在于:
所述第二步骤中,使作用在第一区域的吸引力小于作用在第二区域的吸引力。
4.如权利要求3所述的基片载置装置,其特征在于:
以所述第一区域和第二区域各自成为沿基片的周向的区域的方式分别由所述第一吸引孔、第二吸引孔进行吸引。
5.如权利要求4所述的基片载置装置,其特征在于:
所述第一区域和第二区域是以所述基片的中心为中心的同心圆的区域,以该第一区域比第二区域靠该基片的中心的方式分别由所述第一吸引孔、第二吸引孔进行吸引。
6.如权利要求5所述的基片载置装置,其特征在于:
以所述第一区域成为距所述基片的中心1/3基片半径的位置与距该基片的中心2/3基片半径的位置之间的区域的方式由所述第一吸引孔进行吸引。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基片载置装置,其特征在于:
所述载置台具有温度调节部,其用于进行所载置的基片的温度调节。
8.一种基片载置方法,其特征在于,包括:
在载置台载置基片的步骤,其中所述载置台在表面形成有各自支承基片的多个突起;
第一步骤,其由在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口的吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片的下表面;和
第二步骤,其接着所述第一步骤,使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力,以将所述基片吸附在所述载置台。
9.如权利要求8所述的基片载置方法,其特征在于:
所述吸引孔包括第一吸引孔和第二吸引孔,所述第一吸引孔和所述第二吸引孔分别独立地吸引载置于所述载置台的基片的下表面的彼此不同的第一区域、第二区域,
所述第一步骤中,由第一吸引孔、第二吸引孔吸附基片,以将所述基片吸附在所述载置台,
所述第二步骤中,吸引所述第二区域,并且使作用在所述第一区域的吸引力小于在所述第一步骤中作用在该第一区域的吸引力,以将所述基片吸附在所述载置台。
10.如权利要求9所述的基片载置方法,其特征在于:
包括如下步骤:所述第二步骤中,使吸引第一区域的吸引力小于吸引第二区域的吸引力。
11.如权利要求10所述的基片载置方法,其特征在于:
包括如下步骤:以所述第一区域和第二区域各自成为沿基片的周向的区域的方式由所述第一吸引孔、第二吸引孔分别进行吸引。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910316575.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:带电路基板加工体及带电路基板的加工方法
- 下一篇:吸嘴装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造