[发明专利]基片载置装置和基片载置方法

说明书

本发明提供一种在载置台载置基片时，以水平的姿态载置基片的技术。载置台在表面形成有各自支承基片的多个突起，在该载置台载置基片时，由吸引孔对与载置与上述载置台的基片的、位于上述突起的上方的区域不同的区域进行了吸引的状态下，将基片吸附在载置台，之后减小吸引孔的吸引。因此，能够在消除了基片的翘曲的状态下将基片载置在载置台，并且能够抑制因较强地吸引晶片W的下表面而产生的基片的形变，能够将基片以水平的姿态载置在载置台。

技术领域

本发明涉及基片载置装置和基片载置方法。

背景技术

例如，在半导体制造工序中，将半导体晶片(以下称为“晶片”)等基片以水平的姿态载置到载置台，进行加热处理、冷却处理等处理。

在专利文献1中，公开了作为这样的基片的载置台的真空吸附部件。该真空吸附部件包括：在与基片的背面相对的基体以支承该基片的周缘部的方式设置有环状凸部；和在基体的环状凸部所包围的区域配置有多个的、各自用于支承基片的背面的小柱(凸部)。另外，基体设置有：与基片的背面的中心部相对的吸引口；和相对于该吸引口形成为同心圆状的环状突起(环状间隔壁部)。而且，通过由吸引口进行吸引而在各环状突起与基片之间产生的伯努利效应，将基片吸引到基体并且将基片平坦化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-199790号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明是基于这样的情况而完成的，提供一种当在载置台上载置基片时，以基片的平坦性变高的方式载置基片的技术。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的基片载置装置的特征在于，包括：能够载置基片的载置台；多个突起，其设置在所述载置台的表面，各自支承所述基片；吸引孔，其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口，吸引载置于所述载置台的基片的下表面；和控制部，其输出控制信号来执行：第一步骤，其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片以将所述基片吸附在所述载置台；和第二步骤，其接着所述第一步骤，使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台。

发明效果

依照本发明，能够在载置台载置基片时，以水平的姿态载置基片。

附图说明

图1是表示涂敷显影装置的处理晶片的工序的流程图。

图2是本发明的实施方式的冷却装置的纵截侧视图。

图3是本发明的实施方式的冷却装置的俯视图。

图4是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。

图5是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。

图6是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。

图7是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。

图8是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。

图9是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。

图10是表示本发明的实施方式的基片载置装置的另一例的俯视图。

图11是表示本发明的实施方式的基片载置装置的又一例的俯视图。

图12是本发明的实施方式的PAB的纵截侧视图。

图13是本发明的实施方式的PAB的俯视图。

图14是表示涂敷显影装置的立体图。