[发明专利]三维半导体存储器件

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，包括：

衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域；

电极结构，所述电极结构包括依次堆叠在所述衬底的表面上并沿第一方向从所述单元阵列区域延伸到所述连接区域的多个栅电极，所述第一方向平行于所述衬底的顶表面；

第一源极导电图案，所述第一源极导电图案在所述单元阵列区域上位于所述电极结构与所述衬底之间；以及

单元垂直半导体图案和第一虚设垂直半导体图案，所述单元垂直半导体图案和所述第一虚设垂直半导体图案位于所述单元阵列区域上，穿透所述电极结构和所述第一源极导电图案，并延伸到所述衬底中，

其中，所述单元垂直半导体图案接触所述第一源极导电图案，并且

其中，所述第一虚设垂直半导体图案与所述第一源极导电图案电绝缘。

2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，还包括：

第一虚设数据存储图案，所述第一虚设数据存储图案位于所述第一虚设垂直半导体图案与所述第一源极导电图案之间，并且接触所述第一虚设垂直半导体图案；以及

第一支撑图案，第一支撑图案位于所述第一虚设数据存储图案与所述第一源极导电图案之间。

3.根据权利要求2所述的三维半导体存储器件，还包括：

源极接触插塞，所述源极接触插塞与所述单元垂直半导体图案间隔开，穿透所述电极结构，并电连接到所述第一源极导电图案；以及

第二支撑图案，所述第二支撑图案与所述源极接触插塞相邻。

4.根据权利要求3所述的三维半导体存储器件，其中，所述第二支撑图案位于所述源极接触插塞与所述衬底之间。

5.根据权利要求3所述的三维半导体存储器件，其中，所述第二支撑图案位于所述源极接触插塞与所述第一源极导电图案之间。

6.根据权利要求3所述的三维半导体存储器件，其中，所述源极接触插塞具有沿所述第一方向从所述单元阵列区域延伸到所述连接区域中的线性形状，

其中，所述源极接触插塞的底表面具有不平坦的结构。

7.根据权利要求2所述的三维半导体存储器件，还包括位于所述第一源极导电图案与所述电极结构之间的第二源极导电图案，所述第二源极导电图案接触所述第一源极导电图案，

其中，所述第二源极导电图案和所述第一支撑图案彼此间隔开。

8.根据权利要求7所述的三维半导体存储器件，还包括位于所述第一源极导电图案与所述衬底之间的第三源极导电图案，所述第三源极导电图案接触所述第一源极导电图案，

其中，所述第三源极导电图案和所述第一支撑图案彼此间隔开。

9.根据权利要求7所述的三维半导体存储器件，还包括位于所述第二源极导电图案与所述第一支撑图案之间的绝缘图案，

其中，所述第一支撑图案的侧壁横向突出超过所述绝缘图案的边缘。

10.根据权利要求2所述的三维半导体存储器件，

其中，所述单元垂直半导体图案包括接触所述第一源极导电图案的多个单元垂直半导体图案，

其中，所述三维半导体存储器件还包括多个单元数据存储图案，每个所述单元数据存储图案接触所述多个单元垂直半导体图案中的相应一个单元垂直半导体图案的侧壁，并且

其中，所述多个单元数据存储图案中的至少一个单元数据存储图案与所述第一支撑图案相邻并接触所述第一支撑图案。

11.根据权利要求10所述的三维半导体存储器件，其中，从所述三维半导体存储器件的俯视图角度来看，接触所述第一支撑图案的所述至少一个单元数据存储图案在所述第一支撑图案的高度处限定弧形。

12.根据权利要求2所述的三维半导体存储器件，其中，从所述三维半导体存储器件的俯视图角度来看，所述第一支撑图案限定了沿所述第一方向朝向所述连接区域延伸的线性形状。