[发明专利]静电放电防护元件

权利要求书

1.一种静电放电防护元件，包括：

衬底，具有第一区与第二区，所述第二区环绕所述第一区，所述衬底具有第一导电型；

高压N阱区，具有第二导电型且配置于所述衬底上；以及

高压P阱区，具有所述第一导电型且配置于所述高压N阱区上；

其中所述第一区配置于所述高压N阱区上，包括：

第一掺杂区，具有所述第一导电型；

第二掺杂区，具有所述第二导电型且环绕所述第一掺杂区；以及

第三掺杂区，具有所述第一导电型且环绕所述第二掺杂区，

其中所述第二区配置于所述高压P阱区上，包括：

多个第四掺杂区，具有所述第二导电型，所述多个第四掺杂区间隔排列并环绕所述第一区；以及

第五掺杂区，具有所述第一导电型，所述第五掺杂区环绕所述第一区与所述多个第四掺杂区中的每一个。

2.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其中所述多个第四掺杂区具有相同尺寸。

3.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其中所述多个第四掺杂区在相同排列方向上的间隔距离相同。

4.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其中所述第一掺杂区、所述第二掺杂区与所述第三掺杂区电性连接至电源正极，所述第四掺杂区与所述第五掺杂区电性连接至电源负极。

5.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，更包括：

场氧化区，配置在所述第三掺杂区与所述第五掺杂区之间；以及

多晶硅区，配置在所述场氧化区上，所述多晶硅区电性连接至电源正极。

6.根据权利要求5所述的静电放电防护元件，其中所述多晶硅区是单多晶硅或双多晶硅。

7.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其中所述衬底是P型硅衬底或P型外延层。

8.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其中所述高压N阱区是N型外延层、单个N型埋层或多个N型埋层，且所述高压P阱区是P型阱、P型埋层或P型低掺杂区。

9.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其中所述第一导电型与所述第二导电型的电性相反。

10.根据权利要求1所述的静电放电防护元件，其中所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区、所述第四掺杂区与所述第五掺杂区的掺杂浓度高于所述衬底、所述高压N阱区与所述高压P阱区的掺杂浓度。