[发明专利]一种阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910320225.8 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110071123A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李朝 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏极 开孔 像素电极层 阵列基板 平坦层 基底层 源漏极 制备 降低接触电阻 表面氧化 接触不良 器件特性 上下相通 像素电极 中间设置 侧壁 导通 源极 残留 | ||
1.一种阵列基板，包括：基底层、设置在基底层上具有源极和漏极的源漏极层、设置在所述源漏极层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的像素电极层，其中所述平坦层上设置有第一过孔；其特征在于，所述漏极上设置有一开孔，所述开孔与所述第一过孔上下相通，所述像素电极层通过所述第一过孔以及所述开孔与所述漏极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开孔的剖面形状为倒梯形。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极的俯视形状呈“回”字形状。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基底层包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的缓冲层、设置在所述缓冲层上的有源层，设置在所述有源层上的第一栅极层绝缘层、设置在所述第一栅极层绝缘层上的第一栅极层、设置在所述第一栅极层上的第二栅极层绝缘层、设置在所述第二栅极层绝缘层上的第二栅极层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，其还包括层间介质层，所述层间介质层设置在所述第二栅极层远离所述第二栅极绝缘层的一侧。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述开孔远离所述漏极层的一端与所述层间介质层相接。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板材料为聚酰亚胺或聚碳酸酯。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极层绝缘层和所述第二栅极层绝缘层材料为氮化硅或氧化硅或氮氧化硅。
9.权利要求1-8任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：制备基底层、源漏极层；
步骤S2：在所述源漏极层上形成一开孔：
步骤S3：制备平坦层；
步骤S4：在所述平坦层上形成第一过孔，所述第一过孔与所述开孔上下相通；
步骤S5：制备像素电极层。
10.一种显示面板，其特征在于，其包括本体，所述本体上设置有如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
