[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板包括：基底层、设置在基底层上具有源极和漏极的源漏极层、设置在所述源漏极层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的像素电极层，其中所述平坦层上设置有第一过孔；其特征在于，所述漏极上设置有一开孔，所述开孔与所述第一过孔上下相通，所述像素电极层通过所述第一过孔以及所述开孔与所述漏极连接。通过在所述漏极中间设置所述开孔，所述像素电极层不止底部与所述漏极连接，所述像素电极层侧部分侧壁亦可通过所述开孔与所述漏极相连，可以有效的增大所述漏极与所述像素电极的接触面积，降低接触电阻，利于导通，亦可以有效降低因所述漏极表面氧化或有机光阻残留引起的接触不良，提高器件特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

在柔性AMOLED显示屏生产制程中，首先会在玻璃基板上进行一层薄膜的涂布，目前工艺主要使用材料是聚酰亚胺，作为TFT Array制程的基底，随后在基底上依次进行Array制程，完成阵列基板的制作。

现有的阵列基板，如图1所示，包括：设置在衬底基板1上的缓冲层2、设置于缓冲层2上的有源层3、设置在有源层3上的第一栅极层绝缘层41、设置在第一栅极层绝缘层41上的第一栅极层51、设置在第一栅极层51上的第二栅极层绝缘层42、设置在第二栅极层绝缘层42上的第二栅极层52、设置在第二栅极层52上的层间介质层6、设置在层间介质层6上的源漏极层7、设置在源漏极层7上的平坦层8和设置在平坦层8上的像素电极层9，平坦层8上设置有第一过孔81，源漏极层7包括源极71和漏极72，像素电极层9通过第一过孔81和漏极72连接。

在阵列基板的制作过程中，在源漏极层上的平坦层形成导通漏极与像素电极的第一过孔后，通常需对平坦层进行干刻处理以加强平坦层与其他膜层的粘附性，但在干刻处理的过程中，由于漏极在第一过孔处被暴露，会导致第一过孔暴露出来的漏极会被氧化；还有在形成第一过孔的过程中，有机光阻没有完全曝光掉，则在第一过孔暴露出来的漏极表面存在有机光阻残留；这两种情况都会导致漏极与像素电极之间的电阻异常，进而造成最终显示不良的问题。

因此，确有必要来开发一种新型的阵列基板，以克服现有技术的缺陷。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种阵列基板，其能够解决现有技术中漏极表面氧化或者有机光阻残留形成的接触不良的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括：基底层、设置在基底层上具有源极和漏极的源漏极层、设置在所述源漏极层上的平坦层、以及设置在所述平坦层上的像素电极层，其中所述平坦层上设置有第一过孔；其特征在于，所述漏极上设置有一开孔，所述开孔与所述第一过孔上下相通，所述像素电极层通过所述第一过孔以及所述开孔与所述漏极连接。

通过在所述漏极中间设置所述开孔，所述像素电极层不止底部与所述漏极连接，所述像素电极层侧部分侧壁亦可通过所述开孔与所述漏极相连，可以有效的增大所述漏极与所述像素电极的接触面积，降低接触电阻，利于导通，亦可以有效降低因所述漏极表面氧化或有机光阻残留引起的接触不良，提高器件特性；同时，由于所述像素电极层与所述漏极层抵接区域被限制在所述漏极层开孔处，避免因外力或者其他因素引起的所述像素电极与所述漏极层接触处偏移而导致的所述像素电极层与所述漏极的接触不良的问题。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述开孔的剖面形状为倒梯形。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述漏极的俯视形状呈“回”字形状。

进一步的，在其他实施方式中，其中所述基底层包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的缓冲层、设置在所述缓冲层上的有源层，设置在所述有源层上的第一栅极层绝缘层、设置在所述第一栅极层绝缘层上的第一栅极层、设置在所述第一栅极层上的第二栅极层绝缘层、设置在所述第二栅极层绝缘层上的第二栅极层。