[发明专利]一种低辐射镀膜玻璃及其制备工艺

权利要求书

1.一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于：包括玻璃基片（1）、第一层金属锡（2）、第二层金属锌（3）、第三层金属银（4）、第四层金属钛（5）、第五层金属锌（6）、第六层金属锡（7）和第七层金属锡（8），所述第一层金属锡（2）、第二层金属锌（3）、第三层金属银（4）、第四层金属钛（5）、第五层金属锌（6）、第六层金属锡（7）和第七层金属锡（8）自玻璃基片（1）向外依次设置，所述玻璃基片（1）为6MM厚的白玻璃。

2.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1）选择玻璃基片（1），将玻璃基片（1）裁切为规定尺寸，放置在输送带上，随着输送带的运送玻璃基片（1）进入清洗室，采用清洗机将玻璃基片（1）清洗干净；

2）清洗干净的玻璃基片（1）随着输送带的运送，进入真空干燥箱中进行干燥；

3）干燥后的玻璃，随着输送带的输送进行1#镀膜室，采用旋转阴极在玻璃基片（1）上溅射第一层金属锡（2），真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.3~4.5KW；

4）在1#镀膜室内，步骤3）中的镀膜完成的玻璃基片（1），采用旋转阴极溅射第二层金属锌（3），真空磁控溅射镀膜设备的功率为2.0~2.5KW；

5）步骤4）中第二层金属锌（3）镀膜完成，输送带启动，将玻璃基片（1）输送至2#镀膜室，采用平面阴极溅射第三层金属银（4），真空磁控溅射镀膜设备的功率为22.0~22.2KW；

6）在2#镀膜室内，步骤5）中镀膜完成的玻璃基片（1），采用平面阴极溅射第四层金属钛（5），真空磁控溅射镀膜设备的功率为76.0~76.5KW；

7）步骤6）中第四层金属钛（5）镀膜完成，输送带启动，将玻璃基片（1）输送至3#镀膜室，采用旋转阴极溅射第五层金属锌（6），真空磁控溅射镀膜设备的功率为7.9~8.1KW；

8）在3#镀膜室内，步骤7）镀膜完成的玻璃基片（1），采用旋转阴极溅射第六层金属锡（7），真空磁控溅射镀膜设备的功率为4.9~5.1KW；

9）在3#镀膜室内，步骤8）镀膜完成的玻璃基片（1），采用旋转阴极溅射第七层金属锡（8），真空磁控溅射镀膜设备的功率为9.9~10.1KW；

10）3#镀膜室内镀膜完成，输送带启动，将玻璃基片（1）输送至检测室，进行低辐射镀膜玻璃的合格检测。

3.根据权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于：上述步骤1）具体包括：将玻璃基片（1）输送至清洗室内，然后用去离子水和清洗液，进行超声波清洗15min。

4.根据权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于：上述1#镀膜室内具体为：采用气体成分为氩：氧体积比为=8:100，在真空条件下，保持气体压力为2.5bar状态下溅射。

5.根据权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于：上述2#镀膜室内具体为：采用气体成分为纯氩，在真空条件下，保持气体压力为3.0bar状态下溅射。

6.根据权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于：上述3#镀膜室内具体为：采用气体成分为氩：氧体积比为=8:100，在真空条件下，保持气体压力为2.5bar状态下溅射。

7.根据权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃的制备工艺，其特征在于：上述1#镀膜室、2#镀膜室和3#镀膜室内真空室速度为150cm/min。