[发明专利]竖直型存储器件

权利要求书

1.一种竖直型存储器件，包括：

衬底，包括第一区域以及与所述第一区域相邻的第二区域；

在所述第一区域和所述第二区域上延伸的第一导电层；以及

在所述第一区域和所述第二区域上延伸的第二导电层，所述第二导电层堆叠在所述第一导电层上，

其中，所述衬底的上表面在所述第一区域与所述第二区域之间的边界处具有台阶部分，并且所述第一区域中的所述衬底的上表面低于所述第二区域中的所述衬底的上表面。

2.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述第一导电层具有沿所述台阶部分的弯曲部分。

3.根据权利要求2所述的竖直型存储器件，其中，所述第一区域中的所述第二导电层的下表面与所述第一区域中的所述第一导电层的上表面之间的第一间隔大于所述第二区域中的所述第二导电层的下表面与所述第二区域中的所述第一导电层的上表面之间的第二间隔。

4.根据权利要求3所述的竖直型存储器件，其中，所述第一间隔与所述第二间隔之间的差与所述台阶部分的高度相同。

5.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，其中，所述第一区域中的所述第一导电层的下表面与所述第一区域中的所述衬底的上表面之间的第一间隔大于所述第二区域中的所述第一导电层的下表面与所述第二区域中的所述衬底的上表面之间的第二间隔。

6.根据权利要求5所述的竖直型存储器件，其中，所述第一间隔与所述第二间隔之间的差与所述台阶部分的高度相同。

7.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，还包括：

所述衬底的所述第一区域和所述第二区域上的分离图案，所述分离图案隔开所述第一导电层和所述第二导电层，

其中，所述分离图案的下表面在所述第一区域与所述第二区域之间的边界处具有台阶部分。

8.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，还包括：

至少一个沟道结构，在所述第一区域中，并且穿过所述第一导电层和所述第二导电层；以及

至少一个虚设沟道结构，在所述第二区域中，并且穿过所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个，

其中，所述至少一个沟道结构的竖直长度大于所述至少一个虚设沟道结构的竖直长度。

9.根据权利要求8所述的竖直型存储器件，其中，所述至少一个虚设沟道结构的水平横截面面积大于所述至少一个沟道结构的水平横截面面积。

10.根据权利要求8所述的竖直型存储器件，其中，所述至少一个沟道结构和所述至少一个虚设沟道结构中的每一个包括：

沟道层，与所述衬底的上表面垂直地延伸；以及

外延层，在所述沟道层与所述衬底之间，并且

所述第一区域中的所述外延层的上表面的高度与所述第二区域中的所述外延层的上表面的高度不同。

11.根据权利要求1所述的竖直型存储器件，还包括：

所述衬底的第三区域中的高压晶体管，所述高压晶体管包括高压栅极绝缘层，所述衬底的所述第三区域与所述衬底的所述第二区域相邻；以及

所述衬底的所述第三区域中的低压晶体管，所述低压晶体管包括低压栅极绝缘层，所述低压栅极绝缘层的厚度小于所述高压栅极绝缘层的厚度，

其中，所述第一区域与所述第二区域之间的边界处的所述台阶部分的高度与所述高压栅极绝缘层的厚度相同。