[发明专利]OLED阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201910322930.1 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110085553B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 夏存军;张兴永 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，其包含以下步骤：
提供一基板，其中一TFT层形成在所述基板上，一绝缘层形成在部分的所述TFT层上，一阳极层形成在部分的所述绝缘层上并与所述TFT层连接，一像素限定层形成在所述TFT层、所述绝缘层及所述阳极层上；
移除部分的所述像素限定层，将所述像素限定层在所述阳极层上方形成一第一槽孔，在所述第一槽孔旁形成一第二槽孔，所述第一槽孔及所述第二槽孔为倒梯形；
形成一发光层在所述第一槽孔内，及在所述第二槽孔内制作倒三角形或倒梯形的多个填充物，以在所述第二槽孔内形成多个不连续槽孔，所述多个不连续槽孔为正梯形；及
形成多个阴极层在所述像素限定层上，及形成在所述第一槽孔及所述第二槽孔内，所述多个阴极层为不连续的阴极层。
2.如权利要求1所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成多个阴极层的步骤之后，还包含以下步骤：形成一有机挡墙在所述不连续槽孔内及其上方。
3.如权利要求2所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成一有机挡墙的步骤之后，形成一有机层覆盖所述第一槽孔上方直至所述有机挡墙。
4.如权利要求3所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成一有机层之前，还含包含以下步骤：在所述像素限定层上形成一第一无机层，所述第一无机层覆盖所述多个阴极层及所述有机挡墙。
5.如权利要求4所述的OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成一有机层之后，还含包含以下步骤：在所述有机层上形成一第二无机层，所述第二无机层覆盖所述有机层及所述第一无机层。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
