[发明专利]OLED阵列基板及其制作方法

说明书

本发明公开一种OLED阵列基板及其制作方法，所述OLED阵列基板主要包含一基板、一TFT层、一绝缘层、一阳极层、一像素限定层，其中所述像素限定层具有一第一槽孔及一第二槽孔，所述第一槽孔内形成一发光层，所述第二槽孔内具有多个填充物，所述多个填充物在所述第二槽孔内形成多个不连续槽孔，用以形成多个不连续的阴极层。当远离显示区的像素限定层表面的阴极被腐蚀，不会影响到显示区内的阴极的功能，从而不会影响到显示器件的显示效果，因此不再受全部覆盖下边框阴极的薄膜封装层限制，可以有效的实现更窄的下边框。

技术领域

本发明涉及一种OLED阵列基板及其制作方法，特别是涉及一种适用于窄边框面板设计的OLED阵列基板及其制作方法。

背景技术

与液晶显示器相比，有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)具有高对比、视角、运动图像响应速度等，以此引起人们的关注和开发。随着OLED应用领域的拓展，新的应用领域更多的需要OLED显示柔性化的全面屏，OLED显示柔性化的全面屏会有越来越多的要求如：OLED显示弯折使用寿命、窄边框等；OLED全面屏柔性显示则会要求对OLED器件需要的封装采用薄膜化及四周边框尽量变窄，OLED显示的边框中，下边框变窄是一个很大的考验。

现在OLED显示的下边框变窄很大的难题就是，薄膜封装的边界要包裹住OLED器件的阴极，而OLED器件的阴极受掩膜版误差约±100微米的限制，所以薄膜封装所要覆盖的区域就没法进行有效的收缩变窄。也就是说，现在OLED下边框变窄时，会造成阴极包覆不佳、易腐蚀，封装有机层易溢出挡墙等风险。

因此，有必要提供一种改良的OLED阵列基板及其制作方法，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种OLED阵列基板及其制作方法，其具有多个不连续的阴极层，当远离显示区的像素限定层表面的阴极被腐蚀，不会影响到显示区内的阴极的功能，从而不会影响到显示器件的显示效果。此外，在所述像素限定层形成突起的挡墙，可进一步防止封装的有机层溢出。

为达上述目的，本发明提供一种OLED阵列基板的制作方法，其包含以下步骤：

提供一基板，其中一TFT层形成在所述基板上，一绝缘层形成在部分的所述TFT层上，一阳极层形成在部分的所述绝缘层上并与所述TFT层连接，一像素限定层形成在所述TFT层、所述绝缘层及所述阳极层上；

移除部分的所述像素限定层，将所述像素限定层在所述阳极层上方形成一第一槽孔，在所述第一槽孔旁形成一第二槽孔；

形成一发光层在所述第一槽孔内，及在所述第二槽孔内制作多个填充物，以在所述第二槽孔内形成多个不连续槽孔；及

形成多个阴极层在所述像素限定层上，及形成在所述第一槽孔及所述第二槽孔内，所述多个阴极层为不连续的阴极层。

在本发明的一实施例中，在形成多个阴极层的步骤之后，还包含以下步骤：形成一有机挡墙在所述不连续槽孔内及其上方。

在本发明的一实施例中，在形成一有机挡墙的步骤之后，形成一有机层覆盖所述第一槽孔上方直至所述有机挡墙。

在本发明的一实施例中，在形成一有机层之前，还含包含以下步骤：在所述像素限定层上形成一第一无机层，所述第一无机层覆盖所述多个阴极层及所述有机挡墙。

在本发明的一实施例中，在形成一有机层之后，还含包含以下步骤：在所述有机层上形成一第二无机层，所述第二无机层覆盖所述有机层及所述第一无机层。